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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » (半导体氧化物)气敏传感器的检测温度问题
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sakuraai

木虫 (职业作家)

[求助] (半导体氧化物)气敏传感器的检测温度问题 已有2人参与

各位做气敏的大神，本人刚刚接触气体传感器，最近有一个问题想不明白
就是检测温度的问题

很多文献里写，由于氧气变为氧负离子需要200度以上的高温，大多数(WO3材料为主）的气体传感器，其工作温度大于200度

那为什么，近年来出现很多文献，可以实现在低温，甚至室温下检测。。。。看了不少文献，还是没明白这里本质的原因
到底他们是如何突破这个检测原理的局限的？原因是什么？没看懂，看不出来

或者有没有讨论温度的 综述类文献 有吗，能不能推荐一下

感谢各位，期待指教
鞠躬------
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1楼 2018-01-15 10:24:59
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fluting

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

传统氧化物由于活性位点少，比表面积小需要在高温下工作。但把半导体材料做成纳米级，比表面积增大，活性位点大量增加后是可以降到室温工作。气敏机理一般都是气体分子在半导体表面吸附后发生电荷转移。
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单壁碳纳米管材料、碳基器件与微系统
2楼2018-01-23 16:30:50
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Dontstay

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

大概就是，不同温度活性氧是不同的，温度越高吸附氧活性越高。一般降低测试温度是增加体表面积或者增加贵金属起到催化作用。自己理解，错误望纠正
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3楼2018-05-02 16:40:25
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