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[交流] 【转帖】处理温度在200℃以下印刷制造CNT晶体管

处理温度在200℃以下印刷制造CNT晶体管


在200℃以下形成CNT晶体管的积层结构。图中为NEC的数据。(点击放大)  NEC在“nano tech 2009 (国际纳米科技综合展)”(2月18日~20日)上,展示了通过印刷技术形成采用碳纳米管(CNT)的晶体管全部构成要素的技术(参阅本站报道)。由于能够在200℃以下的处理温度状态形成CNT晶体管,因此可将PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)薄膜等用于底板。
  将这种薄膜用于底板的话,能制造出即轻又薄还可以弯曲的电子元件。另外,还可采用以卷成卷状的数百米~数千米长的薄膜进行卷对卷方式的连续生产。有利于避开将多个制造装置连接起来的做法,可省去搬运装置和劳动时间,能大幅降低元件的制造成本。
  此次的CNT晶体管形成工艺采用分配(Dispense)技术涂布和干燥包含有Ag、绝缘材料和CNT在内的油墨,分别形成Ag栅极、源极和漏极、栅极绝缘膜以及CNT通道。
  使用的油墨方面,仅仅优化为单凭滴下装置即可滴出的油墨还无法利用。需要分别将具有不同性质的金属、绝缘材料和半导体材料按照需要进行层积才行。为此,油墨主要需要满足三个条件。一是下层的油墨能够均匀覆盖,二是要具有不被上层层积的油墨侵蚀的抗蚀性,三是要确保良好的图案形成特性。
  此外,为将形成工艺控制在200℃以下,溶剂等材料的选择受到限制。这就需要在这些限制下均匀分散Ag、绝缘材料和CNT,而且要使用在200℃以下挥发的溶剂来制造油墨。
  今后,NEC将开发处理温度降至150℃以下的形成工艺。如果能够实现的话,将来可以使用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等更加便宜的薄膜。(记者:加藤 伸一)
■日文原文
【ナノテク展続報】200℃以下の処理温度でCNTトランジスタを印刷
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xuer148

NEC做纳米太牛了
2楼2009-03-04 16:27:02
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