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最近AM: 可控合成带隙和电学属性可调的单层1T′ ReS2xSe2(1−x) 合金材料
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2017年9月13日，Advanced Materias 在线报道了可控合成带隙和电学属性可调的1T' ReS2xSe2(1-x)半导体合金材料。 陕西师范大学徐华副教授课题组与西北工业大学冯晴亮副教授和华中科技大学翟天佑教授课题组合作，采用自下而上的CVD生长方法，以ReO3、S粉和Se粉为前驱体，首次成功制备了具有一系列不同组份的单层1T' ReS2xSe2(1-x)半导体合金材料。通过精确控制生长条件，实现了合金的带隙从1.32 eV（ReSe2）到1.62 eV（ReS2）的连续调节。利用扫描透射电子显微镜对不同组份ReS2xSe2(1-x)合金进行原子成像，作者首次发现在ReS2xSe2(1-x)合金晶格结构中存在一种非常有趣的原子局域分布规律，其中S和Se原子在每个Re-X6八面体晶胞中的不同X位置发生选择性站位，并且这种选择性站位与它们的原子半径和每个X位置的空间大小密切相关。这种亚纳米尺度的原子局域分布有望在二维材料表面诱导产生表面局域电子态，这一发现对未来开发二维材料新的性质和应用具有重要意义。作者将不同组份的ReS2xSe2(1-x)合金制备成场效应晶体管器件，系统研究了其电学性质与组份间的关系，首次利用这类合金材料实现了其电学属性从n型、到双极型，再到p型的连续可调。此外，角分辨拉曼光谱和电学测量研究发现单层1T' ReS2xSe2(1-x)合金亦可表现出优异的各向异性光学，电学和光电特性。这种兼具有带隙和电学属性可调及各向异性特性的单层ReS2xSe2(1-x)合金的可控制备为设计未来的多功能二维光电子器件提供了可行性。 Synthesis of Large-Size 1T′ ReS2xSe2(1−x) Alloy Monolayer with Tunable Bandgap and Carrier Type Adv Mater., 2017, DOI: 10.1002/adma.201705015 http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201705015/full |
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2017-12-04 22:37:49, 3.94 M
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2楼2017-12-06 12:00:56
