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wsp0510金虫 (小有名气)
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[5金币急求]有没有做GaAs的弟兄啊 想问一下GaAs在多少度分解
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RT 只知道将GaAs加热到一定温度 就会有As的单质从GaAs材料中“析出” 印象中好像是500度左右 请教一下 这个温度具体是多少 如果有参考文献更好 谢谢 [ Last edited by wsp0510 on 2009-2-24 at 19:13 ] |
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wsp0510(金币+5,VIP+0):谢谢 3-11 09:57
wsp0510(金币+5,VIP+0):谢谢 3-11 09:57
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可能高于500度，不超过600度。具体的也不是太清楚，以下文献或许有用，不妨先看看摘要。 http://www.cqvip.com/QK/95036A/2006003/22265074.html GaAs光电阴极制备过程中多信息量测试技术研究 邹继军[1,2] 钱芸生[1] 常本康[1] 王惠[1] 王世允[1] [1]南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094 [2]东华理工学院电子工程系,抚州344000 摘 要:研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统，该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量，如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。实验测试了GaAs光电阴极加热净化过程中真空度随温度的变化曲线，分析发现，高温净化时有几个真空度下降较快的区域，为160℃～280℃、400℃～500℃、570℃～600℃，分别是由于．AsO的脱附和水分的蒸发、As2O3分解和Ga2O脱附、GaAs和Ga2O3的分解所致，低温净化真空度在370℃后下降较快，这是由于吸附在阴极表面的Cs脱附速度加快造成的。实验还测试了激活过程中多种信息量的变化，发现了真空度和光电流随Cs源和O源电流的变化规律，这些大大方便了对激活工艺进行深入细致的分析研究。 (共4页) 参考文献+更多[1]Baum A W,Spicer W E,Pease R F W.Negative electron affinity photocathodes as high-performance electron sources Part Ⅰ:Achievement of ultra-high brightness from an NEA photocathode,SPIE,1995,2522:208 ～ 219 [2]杜晓睛 常本康 汪贵华 宗志园.NEA光电阴极的（Cs，O）激活工艺研究[J].光子学报,2003,32(7):826～829. [3]钱芸生 富容国.多碱光电阴极多信息量测试技术研究[J].真空科学与技术,1999,19(2):111～115. [4]钱芸生 宗志圆 等.负电子亲和势光电阴极评估技术研究[J].真空科学与技术,2001,21(6):445～447. [5]钱芸生 宗志圆.GaAs光电阴极原位光谱响应测试技术研究[J].真空科学与技术,:. |
2楼2009-02-25 16:25:21
