| 查看: 967 | 回复: 0 | |||
[交流]
南昌大学江风益老师课题组的《Si沉底外延生长GaN工艺》
|
|
最底层是Si沉底，然后先长一层AlN的缓冲层，紧接着是一层高位错的3D模式的GaN，最后再生长一层GaN，最后生长出来的GaN为什么结晶度非常好？？ 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
酰胺类聚合物羧基甲酯脱保护
已经有0人回复
-
长春工业大学，招收化学、生物学调剂研究生
已经有1人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有276人回复
-
西南林业大学 招收高分子、化学背景-硕士调剂生！B区线 (工科)
已经有0人回复
-
申请回稿延期一个月，编辑同意了。但系统上的时间没变，给编辑又写邮件了，没回复
已经有4人回复
-
求助几个cif文件，谢谢。
已经有0人回复
-
化学308分求调剂
已经有5人回复
-
AFM测试结果横线求助
已经有1人回复
