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南昌大学江风益老师课题组的《Si沉底外延生长GaN工艺》
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最底层是Si沉底，然后先长一层AlN的缓冲层，紧接着是一层高位错的3D模式的GaN，最后再生长一层GaN，最后生长出来的GaN为什么结晶度非常好？？ 发自小木虫Android客户端 |
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