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allenllin

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初心

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[交流] 求各位帮忙解答一下或者告诉一下参考文献有关于异质结和禁带宽度的问题感激不尽

接触到有关异质结的理论

这方面一点都不懂
两种半导体掺杂
P N型异质结这些都是如何定义和区别的在电子转移方面有什么作用？
还有如何用 XPS 和固体紫外-可见吸收光谱计算导带和价带以及禁带宽度？

真的谢谢各位

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易定者无感易感者无定

1楼 2017-11-04 21:50:19

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蔺光吾

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引用回帖:

2楼: Originally posted by allenllin at 2017-11-04 22:12:55
P N型半导体分别什么特征吗
还是互相有什么效果
禁带宽度是需要计算还是已经有成型的数据？

你应该先找本半导体物理看一下，P（Positive）型，B掺杂，多数载流子为空穴，显正电性；N（Negative）型，P、As、Sb（主要是P、As）掺杂，多数载流子为电子，显负电性。在P型半导体与N型半导体的接触面上会形成PN结，PN结的形成是PN结二极管的单向导通电性能的基本原理，以及MOSFET、Bipoar晶体管的基础。本征半导体的禁带宽度应当有现成的数据，查数据手册应当能查到。