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[求助]
关于用硅片制备场效应晶体管的求助
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本人刚设计场效应晶体管，想要制备一种有机场效应晶体管，打算尝试比较经典的底栅顶接触结构的场效应晶体管，关于制备过程有几个细节的地方不懂，还请各位大侠不吝赐教： 1，买来的为n-型硅片，但我用万用表测试时发现其并不导电，这是什么原因？用于制备场效应晶体管需要经过什么预处理吗？我买的是n型的硅片（未抛光），一面是SiO2（厚度：300 nm），我确定测的不是SiO2那一面。 2，怎么在硅片（即栅极）上引出电极连接半导体分析仪？我想到的简单方法就是直接用根铜线丝贴在硅片表面，这样可以吗？ 3，如果各位有详细的场效应晶体管制备的详细步骤和测试步骤相关的资料，还请不吝赐教（1016282447@qq.com）！ 还望各位大侠不吝赐教！ |
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【答案】应助回帖
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1、你在硅片两端，先施加一个电压，然后再去测，万用表施加的电压大概只有几个伏特吧，产生的电流太小。然后，要做MOSFET（晶体场效应管），首先要作出PN结吧，掺杂半导体要形成PN结才能显现出电性能，而且MOSFET最起码的要有源极、栅极和漏极吧，源和漏都有通过P型掺杂形成。况且你的栅氧化层厚达3000A了。。。。 2、其次，你用N型硅去做，那么MOSFET应该为P沟道（在源极和栅极之间），阈值电压Vt是小于零的，你需要在栅极上施加负电压，而且当施加的电压的绝对值比Vt小的时候，才能导通。 3、直接用铜线接在栅极上，接触电阻太大，而且你的万用表要足够灵敏。 综合以上，你的PN结怎么做？我还是建议你做个电路仿真吧 |
2楼2017-11-23 20:34:40
彭小胖28
新虫 (小有名气)
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- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
3楼2017-12-02 00:01:50