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vasp计算分子动力学模拟，求助
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最近想用vasp分子动力学模拟达到非晶，中间有一步淬火，文献上写的是we then cooled these structures to room temperature at the rapid rate of 200K per 200MD time steps, i.e., we sequentially reduced the temperature by 200K and let the system evolve for 200 MD steps. 这个是怎么设置的？是TEBEG和TEEND相差200k，时间步数设置为200吗？这个时候用的是SMASS=-1吧？ 2. 对于分子动力学的模拟ISMEAR的设置一般是怎么样的？还是和结构优化时候一样，根据材料是金属，半导体来计算的 3. 用vasp分子动力学模拟还要重新编译vasp吗？ 谢谢！希望知道的大神们多多指教，不胜感激！不好意思只有45个金币 |
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 VASP分子动力学 |
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