| 查看: 722 | 回复: 0 | |||
[求助]
vasp计算分子动力学模拟，求助
|
|
最近想用vasp分子动力学模拟达到非晶，中间有一步淬火，文献上写的是we then cooled these structures to room temperature at the rapid rate of 200K per 200MD time steps, i.e., we sequentially reduced the temperature by 200K and let the system evolve for 200 MD steps. 这个是怎么设置的？是TEBEG和TEEND相差200k，时间步数设置为200吗？这个时候用的是SMASS=-1吧？ 2. 对于分子动力学的模拟ISMEAR的设置一般是怎么样的？还是和结构优化时候一样，根据材料是金属，半导体来计算的 3. 用vasp分子动力学模拟还要重新编译vasp吗？ 谢谢！希望知道的大神们多多指教，不胜感激！不好意思只有45个金币 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 VASP分子动力学 |
» 猜你喜欢
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
我就是申请一个面上项目而已，这评审意见是按照杰青的条件评的吧？
已经有3人回复
-
有多少人是今天查系统知道结果的？
已经有18人回复
-
国自然评审意见
已经有15人回复
-
为什么资助数各大高校都创新高，自己申请怎么就这么难
已经有13人回复
-
国自然面上复盘~欢迎讨论
已经有14人回复
-
系统查不到
已经有11人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
30