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关于基于硫化锌的memory器件
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| 有一些基于ZnO的Memory器件，原理是氧空位在电场下漂移。模仿此，我采用硫化锌，想利用硫空位在电场下漂移实现记忆存储功能。却失败了，是否因为硫空位不像氧空位那么容易漂移？ |
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