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关于基于硫化锌的memory器件
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| 有一些基于ZnO的Memory器件,原理是氧空位在电场下漂移。模仿此,我采用硫化锌,想利用硫空位在电场下漂移实现记忆存储功能。却失败了,是否因为硫空位不像氧空位那么容易漂移? |
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