| 查看: 403 | 回复: 0 | ||
[求助]
关于基于硫化锌的memory器件
|
| 有一些基于ZnO的Memory器件，原理是氧空位在电场下漂移。模仿此，我采用硫化锌，想利用硫空位在电场下漂移实现记忆存储功能。却失败了，是否因为硫空位不像氧空位那么容易漂移？ |
回复此楼» 猜你喜欢
全日制（定向）博士
已经有5人回复
-
假如你的研究生提出不合理要求
已经有10人回复
-
萌生出自己或许不适合搞科研的想法，现在跑or等等看？
已经有4人回复
-
Materials Today Chemistry审稿周期
已经有4人回复
-
参与限项
已经有3人回复
-
实验室接单子
已经有4人回复
-
对氯苯硼酸纯化
已经有3人回复
-
求助:我三月中下旬出站，青基依托单位怎么办？
已经有12人回复
-
所感
已经有4人回复
-
要不要辞职读博？
已经有7人回复
