[求助] 紫外固体漫反射测半导体禁带宽度疑问~~~ 已有3人参与

根据Tauc plot法，由公式 可以得到样品的禁带宽度值。 我的样品的紫外以及经过公式转换后的曲线如下图所示：， 然后将图2中的虚线部分外推至X轴得到其样品1，2 的禁带宽度值分别为2.36eV，3.05eV。可是，我在想，这样真的正确吗？2.36ev的禁带宽度也太小了点吧？根据经验公式，Eg=1240/λ，2.36对应的吸收阈值为525 nm，这显然跟图1 的紫外吸收图不符合，但是我看有文献也确实是这样再算， 我个人觉得，禁带宽度值不完全是外推直线跟X轴交点的交点，而是图2中，直线外推与曲线的起始点（或者说基线）相交的点。即图2中的3.05eV和3.10eV处。不过我也不确定。现在请各位专业大神给予解答。 另附一篇文献，其中的处理方法是跟X轴的交点，虽然文献已经发布，不过我个人存疑惑。 （ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 8536−8545）

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