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【求助】询问p/p半导体复合的相关问题
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修改稿中论文机理：p/p复合的相关影响 问一下论文机理的问题，修改稿提出的要求 通常会p/n半导体复合，通过研究p-n结的影响，解释界面处电子-空穴的移动，进而会增加一些性能，比如光催化或者气敏等。 那么要是p/p两种半导体复合，界面处的载流子移动会是怎么样的啊？ 会对它的性能（光催化、气敏）产生何种影响啊？呵呵，最好是有利影响。 希望理论好的虫子帮忙解答一下 [ Last edited by chuyunfei on 2009-2-17 at 12:45 ] |
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