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haosonghappy铁杆木虫 (著名写手)
Dr.
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[求助]
在硅片上CVD生长的硫化物，制备FET器件，漏电 已有2人参与
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| 大家好，最近利用化学气相沉积法在300 nm SiO2/Si基底上直接生长了硫化物材料，并制备了FET器件。所用方法为标准的电子束曝光。测试器件性能时，大多都漏电，栅压加到60 V，不是是什么原因？ |
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