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haosonghappy

铁杆木虫 (著名写手)

Dr.

[求助] 在硅片上CVD生长的硫化物,制备FET器件,漏电 已有2人参与

大家好,最近利用化学气相沉积法在300 nm SiO2/Si基底上直接生长了硫化物材料,并制备了FET器件。所用方法为标准的电子束曝光。测试器件性能时,大多都漏电,栅压加到60 V,不是是什么原因?
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Wer mit Ungeheuern kämpft, mag zusehn, dass er nicht dabei zum Ungeheuer wird. Und wenn du lange in einen Abgrund blickst, blickt der Ab
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zjlenny

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
您用的是国产的氧化硅片吧
2楼2017-09-24 19:54:11
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zctf

铁虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

国产氧化硅片大都会存在漏电的问题
劣质反应釜。。。
3楼2017-09-30 10:55:11
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wrxnyd54

木虫 (著名写手)


必须顶
4楼2017-09-30 12:21:24
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当不了科学家

新虫 (正式写手)

用进口的硅片吧!而且做5个并不能保证都能用,但相比国产的硅片会好点!

发自小木虫Android客户端
5楼2017-10-10 19:19:28
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研材-jiali

捐助贵宾 (小有名气)


6楼2017-10-11 16:54:23
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90人在征途

金虫 (正式写手)

生活需要脚踏实地
7楼2017-10-19 12:24:36
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匿名

用户注销 (小有名气)

本帖仅楼主可见
8楼2018-05-24 16:06:42
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