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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术交流 » 在硅片上CVD生长的硫化物，制备FET器件，漏电
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haosonghappy

铁杆木虫 (著名写手)

Dr.

[求助] 在硅片上CVD生长的硫化物，制备FET器件，漏电 已有2人参与

大家好，最近利用化学气相沉积法在300 nm SiO2/Si基底上直接生长了硫化物材料，并制备了FET器件。所用方法为标准的电子束曝光。测试器件性能时，大多都漏电，栅压加到60 V，不是是什么原因？
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Wer mit Ungeheuern kämpft, mag zusehn, dass er nicht dabei zum Ungeheuer wird. Und wenn du lange in einen Abgrund blickst, blickt der Ab
1楼 2017-09-24 15:47:08
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zjlenny

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
您用的是国产的氧化硅片吧
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2楼2017-09-24 19:54:11
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zctf

铁虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

国产氧化硅片大都会存在漏电的问题
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劣质反应釜。。。
3楼2017-09-30 10:55:11
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wrxnyd54

木虫 (著名写手)
必须顶
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4楼2017-09-30 12:21:24
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当不了科学家

新虫 (正式写手)
用进口的硅片吧！而且做5个并不能保证都能用，但相比国产的硅片会好点！

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5楼2017-10-10 19:19:28
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研材-jiali

捐助贵宾 (小有名气)
可以试试进口的

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6楼2017-10-11 16:54:23
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90人在征途

金虫 (正式写手)
可以做个顶栅试试

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生活需要脚踏实地
7楼2017-10-19 12:24:36
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匿名

用户注销 (小有名气)
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8楼2018-05-24 16:06:42
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