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haosonghappy铁杆木虫 (著名写手)
Dr.
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[求助]
在硅片上CVD生长的硫化物,制备FET器件,漏电 已有2人参与
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| 大家好,最近利用化学气相沉积法在300 nm SiO2/Si基底上直接生长了硫化物材料,并制备了FET器件。所用方法为标准的电子束曝光。测试器件性能时,大多都漏电,栅压加到60 V,不是是什么原因? |
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研材-jiali
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