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haosonghappy铁杆木虫 (著名写手)
Dr.
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在硅片上CVD生长的硫化物,制备FET器件,漏电 已有2人参与
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| 大家好,最近利用化学气相沉积法在300 nm SiO2/Si基底上直接生长了硫化物材料,并制备了FET器件。所用方法为标准的电子束曝光。测试器件性能时,大多都漏电,栅压加到60 V,不是是什么原因? |

2楼2017-09-24 19:54:11

3楼2017-09-30 10:55:11
4楼2017-09-30 12:21:24
5楼2017-10-10 19:19:28
研材-jiali
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6楼2017-10-11 16:54:23

7楼2017-10-19 12:24:36
8楼2018-05-24 16:06:42









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