| 查看: 610 | 回复: 0 | |||
[交流]
关于半导体材料中缺陷荧光的计算
|
|
目前刚开始课题，之前在组里刚学了用MS计算缺陷能级之类的小问题。现在老板让我尝试考虑比较同一个材料中的两种缺陷能级，光激发状态下可能的荧光的强度区别，想和组里做的实验相互对一对。 我自己分析感觉这个问题可以分解成两个缺陷态捕获光子能力的区别，以及电子在这两个缺陷上寿命（复合几率）的区别，但不知道计算该从什么方向入手，老板课题组之前做实验为主，两个做计算的学长也没做过发光方面的计算。所以只能来坛子里求助各位大师，看我该从什么方向入手？比如什么模块能解决类似问题（或者MS不行，需要学习别的？），或者看什么方向的文献？谢谢大家！ |
回复此楼» 猜你喜欢
面上没中，邀请各位路过的虫友分析一下分数
已经有14人回复
-
博士去二本高校当辅导员，如何调整心态？
已经有10人回复
-
面上有专家说实验设备不是我们单位的
已经有6人回复
-
27细胞生物学申博
已经有5人回复
-
江苏省自然基金 什么时候出结果
已经有6人回复
-
广西大学-广州大学招聘博士后 欢迎广大优秀人才！！！
已经有11人回复
-
闲聊
已经有3人回复
-
两块石头
已经有10人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有15人回复
-
初秋的晨风
已经有6人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
