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[交流]
关于半导体材料中缺陷荧光的计算
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目前刚开始课题，之前在组里刚学了用MS计算缺陷能级之类的小问题。现在老板让我尝试考虑比较同一个材料中的两种缺陷能级，光激发状态下可能的荧光的强度区别，想和组里做的实验相互对一对。 我自己分析感觉这个问题可以分解成两个缺陷态捕获光子能力的区别，以及电子在这两个缺陷上寿命（复合几率）的区别，但不知道计算该从什么方向入手，老板课题组之前做实验为主，两个做计算的学长也没做过发光方面的计算。所以只能来坛子里求助各位大师，看我该从什么方向入手？比如什么模块能解决类似问题（或者MS不行，需要学习别的？），或者看什么方向的文献？谢谢大家！ |
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