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美国保尔佳开发出n型有机TFT电子迁移率达0.85cm2Vs的材料
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美国保尔佳开发出n型有机TFT电子迁移率达0.85cm2Vs的材料  “ActivInk N2200”的结构 生产柔性印刷电路材料的美国保尔佳（Polyera）开发出了n型有机TFT的电子迁移率最大可实现0.85cm2/Vs的有机半导体材料（新闻发布）。所开发的材料名为“ActivInk N2200”，与德国巴斯夫（BASF）子公司BASF Future Business GmbH共同开发而成。主要面向柔性显示器和RFID标签的驱动元件。 要实现使用有机半导体的CMOS电路，有必要提高p型及n型有机TFT的电子迁移率。保尔佳表示，n型有机TFT的开发晚于p型有机TFT的开发。 由于此次开发的材料相对于有机溶媒的最大溶解度高达60g/l，因此可用作墨水。此次，除旋涂法外，还可以利用凹版印刷、凸版印刷及喷墨印刷等在塑料底板上形成半导体层和介电体层，制成顶部栅极型有机TFT。采用旋涂法制作时，TFT的迁移率为0.1～0.8cm2/Vs，采用凹版印刷时为0.1～0.5cm2/Vs，采用喷墨时最大为0.15cm2/Vs。据美国路透社（Reuters）报道，除塑料外，还可以印刷在纸上。此外，在试制的CMOS逆变器电路中，电路增益为25～65。 另外，以上的成果刊登在09年1月21日的“Nature”网络版以及09年2月5日发行的《Nature》杂志上。（记者：吉泽 惠） ■日文原文 電子移動度0.85cm2/Vsのn型有機TFTを実現できる材料を米Polyeraが開発 |
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