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z841888077金虫 (小有名气)
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[交流]
静电势LVHAR
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通过MS建立了Si/SiO2界面，如图一所示。 通过LVHAR方法，如图二所示。 得到了静电势和空间的关系图，如图三所示。 可是我看别人文献的图是这样的，如图四所示(不是一个体系)。 请问， 1.造成我的图有最大和最小的原因是因为我用的LVHAR吗？ 2.什么时候采用dipole修正？ 3.什么时候采用DF2/3修正呢？  U0(WED%){22J)}SD_BJXADS.png  5PCPW@HCP21RF}J`LB~P6ZJ.png  U334L26]~3(IC0X}T(ZY[4V.png  4947WKY5M~(Q6C%Q_$(PU@R.png |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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通过MS建立了Si/SiO2界面，如图一所示。 通过LVHAR方法，如图二所示。 得到了静电势和空间的关系图，如图三所示。 可是我看别人文献的图是这样的，如图四所示(不是一个体系)。 请问， 1.造成我的图有最大和最小的原因是因为我用的LVHAR吗？ > 不管你有沒有用 LVHAR，一定都會有最大值跟最小值 重點是，這圖不是你畫的嗎? 你不知道你在畫什麼? 那...畫它幹嗎? 2.什么时候采用dipole修正？ > 當系統有 dipole 時，就要考慮 dipole correction 對於表面兩端結構不同的情況，大多是須要考慮 3.什么时候采用DF2/3修正呢？ > 當系統的 van der Waal interaction 很重要時 就要採用 vdW-DF2 or vdW-DF3 修正 像是目前主流的 二維材料，大多會須要 vdW correction |
14楼2017-07-24 18:03:25
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2楼2017-07-24 09:33:10
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3楼2017-07-24 09:42:41
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4楼2017-07-24 09:45:29
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5楼2017-07-24 09:46:45
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| 祝福 |
6楼2017-07-24 09:47:20
7楼2017-07-24 09:47:39
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8楼2017-07-24 09:47:41
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10楼2017-07-24 09:53:13
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