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[交流] 静电势LVHAR

通过MS建立了Si/SiO2界面，如图一所示。
通过LVHAR方法，如图二所示。
得到了静电势和空间的关系图，如图三所示。
可是我看别人文献的图是这样的，如图四所示(不是一个体系)。
请问，
1.造成我的图有最大和最小的原因是因为我用的LVHAR吗？
2.什么时候采用dipole修正？
3.什么时候采用DF2/3修正呢？

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1楼 2017-07-24 09:20:58

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jpchou

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通过MS建立了Si/SiO2界面，如图一所示。
通过LVHAR方法，如图二所示。
得到了静电势和空间的关系图，如图三所示。
可是我看别人文献的图是这样的，如图四所示(不是一个体系)。
请问，
1.造成我的图有最大和最小的原因是因为我用的LVHAR吗？
> 不管你有沒有用 LVHAR，一定都會有最大值跟最小值
重點是，這圖不是你畫的嗎? 你不知道你在畫什麼? 那...畫它幹嗎?

2.什么时候采用dipole修正？
> 當系統有 dipole 時，就要考慮 dipole correction
對於表面兩端結構不同的情況，大多是須要考慮

3.什么时候采用DF2/3修正呢？
> 當系統的 van der Waal interaction 很重要時
就要採用 vdW-DF2 or vdW-DF3 修正
像是目前主流的二維材料，大多會須要 vdW correction