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【求助】如何在Gaussian中加入电场
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听说Gaussian可以加电场进行计算，请问关键字是什么？ 对于模型的原子个数有没有要求？ 如果有现成的例子，可以告诉我吗？ |
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 量子化学-第一性原理 | 高斯 |
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yuhuobuku
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3楼2009-02-02 15:08:01
yuhuobuku
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lei0736(金币+4):谢谢 2-2 15:51
freshgirl(金币+3):谢谢你的例子 2-2 16:18
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说明书上对Field关键字的一段介绍： Field 关键字指定在计算中加入一个有限场。在Gaussian 03 中，这个场可以是电多极场（直到电十六极）或Fermi 接触项。Field 需要一个参数，格式以下两者均可： M±N 或 F(M)N 其中M 表示电多极场，F(M)为原子M 的Fermi 接触微扰（这部分数据放在输入文件的分子说明部分之后）。第一种格式中N*0.0001 为场的大小，是原子单位，第二种格式中指定Fermi接触微扰的大小。因此，Field=X+10 表示在X 方向加一大小为0.001 au 的电偶极场，而Field=XXYZ–20表示在默认的方向（由标准方位决定）加一大小为0.0020 au 的电十六极场。类似地，Field=F(3)27 表示在原子3 处加一0.0027 乘以自旋密度的微扰。注意这些因子是笛卡尔算符矩阵的因子；在解释结果时要留意正负号选择的规定。 所有的参数都是输入的方位。场指定的参数可放在其它选项之间。使用Field 时不做自动存档。 常用选项：Read 从输入数据按照自由格式读入34 个电多极场分量的因子。 在有电场存在的情况下进行几何优化，必须用Opt=Z-Matrix NoSymm关键字，并用传统 的Z-矩阵坐标或符号的笛卡尔坐标定义输入的结构。 例一：使用Z-矩阵 # RHF/3-21G Field=x+60 Opt=Z-Matrix NoSymm Z-Matrix optimization 0 1 C H 1 B1 H 1 B2 2 A1 H 1 B3 2 A2 3 D1 H 1 B4 2 A3 3 D2 B1 1.070000 B2 1.070000 B3 1.070000 B4 1.070000 A1 109.471203 A2 109.471203 A3 109.471231 D1 120.000015 D2 -119.999993 例二：用符号笛卡尔坐标 # HF/6-31G(d) Opt=Z-Matrix Field=z-50 NoSymm Symbolic Cartesian coordinates optimization 0 1 O 0 x1 y1 z1 H 0 x2 y2 z2 H 0 x3 y3 z3 x1=0.0 y1=0.0 z1=0.12 x2=0.0 y2=0.75 z2=-0.46 x3=0.0 y3=-0.75 z3=-0.46 在三个方向上同时加电场：（这个例子表明分别在x和z方向上加一个-0.003au的电场） #p CCSD(t)/6-311++G(2df,2p) Nosymm integral(grid=ultrafine) scf(tight) Field=read ENERGY (0) 0,1 A1 0.000000 0.000000 -4.676318 A2 0.000000 0.000000 -2.712109 A3 0.000000 0.000000 -1.538111 B1-Bq 0.000000 0.000000 0.441336 B2-Bq 0.000000 0.000000 2.421625 B3-Bq 0.000000 0.000000 3.602090 -0.003 0.000 -0.003（注意此行下面空一行） 也可写成： #p CCSD(t)/6-311++G(2df,2p) Nosymm integral(grid=ultrafine) scf(tight) Field=read 0,1 A1 0.000000 0.000000 -4.676318 A2 0.000000 0.000000 -2.712109 A3 0.000000 0.000000 -1.538111 B1-Bq 0.000000 0.000000 0.441336 B2-Bq 0.000000 0.000000 2.421625 B3-Bq 0.000000 0.000000 3.602090 -0.003 0.000 -0.003（注意此行下面仍空一行） |
2楼2009-02-02 15:06:22
4楼2009-02-02 16:23:46
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