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二氧化硅上负载铕，荧光强度问题
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二氧化硅上负载一层铕，但是荧光强度不强，4mg/ml，大概350左右。于是再包了两层，900度煅烧两小时。然而，荧光检测，包一层未煅烧的荧光反而好。这是为什么。而且我以254为激发波长，扫出来的发射峰在506，我看文献，上以254为激发扫出来的峰基本在610左右最强发射，为什么？而且我为了增强荧光，在二氧化硅上负载了铈跟铕，但是荧光强度比单独负载铕的弱很多，几无。为什么？求指教！ 发自小木虫Android客户端 |
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