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[交流]
氮化硼纳米的管制备与应用研究讨论
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氮化硼作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性，有着非常诱人的应用前景。而实现氮化硼纳米管的掺杂，诱导其半导体特性，是实现该材料大规模应用的关键。 对氮化硼纳米管结构进行的系统表征证明，这是一种稳定的掺杂结构。他们发现F掺杂实现了氮化硼纳米管从绝缘体向半导体的转变，低于5%的F掺杂浓度使氮化硼纳米管的电导提高3个数量级以上。这一结果为采用该材料制作纳电子器件的研究奠定了基础。 欢迎大家讨论合成氮化硼纳米管的方法及性质研究。 本人致力于氮化硼纳米管(boron nitride nanotubes, BNNTs) 的制备与性质应用的研究，联系方式：zz@xmu.edu.cn。 |
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2楼2009-02-01 12:52:11
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做过，BN一维纳米结构的文章发过5篇论文
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kqy920(金币+2):谢谢提供！ 2-1 21:38
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04年以前做过，后来作氧化物和其它氮化物了 这是我们以前做的几篇文章，看能否给你一些帮助。 Title: Microstructure and growth model of periodic spindle-unit BN nanotubes by nitriding Fe-B nanoparticles with nitrogen/ammonia mixture Author(s): Huo KF, Hu Z, Fu JJ, et al. Source: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B Volume: 107 Issue: 41 Pages: 11316-11320 Published: OCT 16 2003 Title: Synthesis of boron nitride nanowires Author(s): Huo KF, Hu Z, Chen F, et al. Source: APPLIED PHYSICS LETTERS Volume: 80 Issue: 19 Pages: 3611-3613 Published: MAY 13 2002 Title: Boron nitride nanocages synthesized by a moderate thermochemical approach Author(s): Pan Y, Huo KF, Hu YM, et al. Source: SMALL Volume: 1 Issue: 12 Pages: 1199-1203 Published: DEC 2005 Title: The synthesis of boron nitride nanotubes by an extended vapour-liquid-solid method Author(s): Fu JJ, Lu YN, Xu H, et al. Source: NANOTECHNOLOGY Volume: 15 Issue: 7 Pages: 727-730 Published: JUL 2004 Title: The electronic structures and formation mechanisms of the single-walled BN nanotube with small diameter Author(s): Xu H, Ma J, Chen X, et al. Source: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B Volume: 108 Issue: 13 Pages: 4024-4034 Published: APR 1 2004 |
6楼2009-02-01 21:20:34
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7楼2009-02-02 01:36:44
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