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多孔硅颗粒制备 已有2人参与
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| 求大神指导，制备多孔硅颗粒时，用脉冲直流电4mA.cm2,脱膜250s。脉冲直流具体条件是什么啊 |
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51zhuce
金虫 (职业作家)
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2楼2017-07-10 18:21:46
3楼2017-07-11 17:10:31
【答案】应助回帖
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我在做类似的项目，文献的SUPPLEMENTARY INFORMATION给了更详细的实验参数。https://images.nature.com/full/n ... ref/nmat2398-s1.pdf 制备多孔硅颗粒，一般是先制备多孔硅层，然后通一个持续时间短但数值很大的脉冲电流使得多孔硅层跟衬底脱落。这个脉冲电流的大小独立于衬底掺杂浓度，只与腐蚀液HF的浓度相关。 |
4楼2017-07-16 20:38:10