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ZnO薄膜加电流后，能隙如何变化，物理机制是什么？
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ZnO薄膜加电流后，能隙如何变化，物理机制是什么？ 能否推荐参考书目或文献，谢谢 |
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dawnlight(金币+1,VIP+0):谢谢，欢迎常来 2-24 13:05
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氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响 http://www.cqvip.com/qk/93244x/200701/23952661.html 潘志峰[1,2] 袁一方[1] 李清山[3] 孔繁之[2] 张利宁[2] [1]上海理工大学光电学院,上海200093 [2]济宁医学院物理教研室,山东济宁272013 [3]曲阜师范大学物理工程学院,山东曲阜273165 摘 要:探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响。利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜，在其他反应条件不变的情况下，改变氩氧比，测量了样品的晶体结构和导电性能。随着反应气氛中氩气含量的增加，（002）面衍射峰的强度有所提高，说明薄膜的结晶质量有所改善，衍射峰略向θ角减小的方向移动。随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少，ZnO薄膜的方块电阻明显减小，说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小。 (共5页) 关 键 词:ZnO薄膜 晶体结构 导电性能 氧氩比 学科分类:O48[数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学] 相关文章:主题相关 参考文献(5篇) 耦合文献(5篇) 参考文献+更多[1]Bagnall D M,Chen Y F,Zhu Z,et al..Optically pumped lasing of ZnO at room temperature[J].Appl Phys Lett,1997,70(8):2230-2233. [2]Zhang G B,Shi C S,Han Z F,et al..Photoluminescence properties of ZnO films deposited on Si substrates[J].Chin J Lumin,2001,22(2):157-159. [3]Liu Y C,Zhang X T,Zhang J Y,et al..Visible luminescence mechanism of nanocrystalline ZnO thin films[J].Chin J Lumin,2002,23(6):563-569. [4]Tang Z K,Wang G K L,Yu P.Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystalline thin films[J].Appl Phy Lett,1998,72(12):3270-3272. [5]厦门大学物理系半导体物理教研室.半导体器件工艺原理[M].北京:人民教育出版社,1977.. 相关文章+更多衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响 Li、Mg双组分掺杂ZnO薄膜的结构与性能 （Ti（1-x）Alx）N硬质涂层的研究进展 射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和应力特性 温度对飞秒激光沉积ZnO／Si薄膜的结构和性能的影响 ITO玻璃衬底上生长的Zn0.9Mg0.1S多晶薄膜特性研究 磷扩散法制备p型ZnO薄膜 热蒸发分解法制备多晶氧化锌薄膜以及性能分析 在钛酸锶衬底上外延生长ZnO薄膜及其性能研究 ZnO薄膜结构缺陷与发光性能研究（二） |
2楼2009-02-24 13:02:20