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mmsabina

铁杆木虫 (正式写手)


[资源] 【专题介绍】 GaN 发光二极管技术及其应用

应版主Popsheng的早期邀请,让我来做个专题。由于事情太忙,姑且拖到春节期间, 先开个头, 将在近期完成有关的介绍。

纳米技术的开发,产业化是最终的目的,本介绍将是纳米技术在传统GaN-LED上的应用。给研究纳米技术的科研工作者一点启发,使你们的研究尽量靠近产业化,在传统的产业上,通过纳米化技术 ,给产品升级,注入高科技含量。

[ Last edited by gshsheng on 2009-6-20 at 12:53 ]
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mmsabina

铁杆木虫 (正式写手)



memser(金币+1):3x 1-26 12:48
楼上:传统的GaN LED是通过MOCVD等在存底上 长出GaN来, 通过光刻等为微电子工艺加工出芯片来,后通过封装得到LED。

通过其他手段,制作出具有纳米结构的P-GaN表面,可以提高LED的出光效率,
8楼2009-01-23 11:12:51
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dahaer

金虫 (小有名气)


支持啊,什么时候继续啊,继续关注ing,强烈支持!!!!
2楼2009-01-20 14:08:36
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mmsabina

铁杆木虫 (正式写手)



memser(金币+1):继续 1-26 12:47
popsheng(金币+0,VIP+0):请回答16楼疑问 4-5 19:37
一: 简单介绍
LED—— Lighting Emitting Diode 即发光二极管。它是利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载流子复合放出过剩的能量而引起光子发射,直接发出红、黄、蓝、绿、青、紫、白色的光,LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
美国、欧盟、日本等发达国家先后制订相关研究与发展计划,以期在该领域有所突破。我国也于2003年6月启动了“半导体照明工程。
目前,研究最多的是GaN LED,中国政府提倡的“ 节能,减排”的任务,为GaNLED的研究也注入动力。
用LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯,可节省1/3的照明用电,即节约1000亿度电,这相当于节约一个总投资超过2000亿元三峡工程全年的发电量。

二: GaN LED芯片结构



GaN生长通常采用MOCVD,生长设备价格贵,生长的基底有Si, SiC, Al2O3等,常用的是蓝宝石(Al2O3)。传统的GaN-LED发光强度取决于GaN生长质量。

[ Last edited by mmsabina on 2009-1-21 at 09:27 ]
4楼2009-01-21 09:21:16
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mmsabina

铁杆木虫 (正式写手)



memser(金币+1):继续 1-26 12:47
三: 传统的GaN-LED存在问题:

尽管GaN发光可以达到很高,90%以上,但是经过封装等后,发出的光不能提取出来,也就是外部量子效率非常低,3%左右。如何提高GaN出光效率变成产业界的棘手的问题。

四:解决办法

从设计的结构和P-GaN表面来改变,由于涉及到纳米技术,我就从来改变p-GaN表面结构来说明。
1。表面粗化技术:在p-GaN表面制作出粗造的表面,改变出光效率。
这种表面具有纳米结构。

美国加州大学学者采用聚苯乙烯球作为掩模版,刻蚀出粗造表面,也有采用SiO2等微球来刻蚀。

2.采用光子晶体结构:

被认为是提高出光效率的最好方法,关于在P-GaN上制作出光子晶体结构,方法很多,如电子束光刻和纳米压印技术。

[ Last edited by mmsabina on 2009-1-21 at 09:38 ]
5楼2009-01-21 09:36:59
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简单回复
harbin200110楼
2009-01-23 16:13   回复  
58568513楼
2009-02-05 20:21   回复  
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