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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 磁控溅射退火
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192837465

新虫 (小有名气)

[求助] 磁控溅射退火 已有2人参与

我想做一种铁氧体薄膜材料，文献上的制备方法中，是在溅射之前，先把基片温度升到690度，然后直接在原位690摄氏度的基片上沉积薄膜，然后再降温降到室温，最后直接拿出来退火过的薄膜样品。

可是我们组内仪器的加热温度最高只能到600摄氏度，所以想请教一下大家，我在室温的条件下沉积薄膜，然后拿出来再用管式炉，在与溅射气氛相同的气氛下退火，这两种方法制备出来的样品，会不会有什么差别呢？

谢谢大家啦，神助攻我会追加小红花～

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1楼 2017-06-30 17:16:22
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kangye_1989

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
肯定会有的，沉底温度可以说是薄膜生长的最核心条件，直接影响薄膜的结晶质量，这种通过退火是无法改善的。建议你用600℃长薄膜，然后在做退火处理，
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2楼2017-07-03 11:32:19
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gtxmc

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

温度是晶体生长的必要条件，你在室温下沉积的薄膜与高温下无论是晶态还是形貌都会有很大不同，尤其是生长外延薄膜，室温下基本无法外延，因为室温下原子无法迁移，长出来的薄膜甚至成分都会有很大偏差，即便目标温度无法达到也比室温下要好很多

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3楼2017-10-18 19:34:47
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