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半导体材料相关的，SiC湿氧氧化
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| 我是学习半导体器件方向的学生，在阅读前人的文献时，我发现SiC湿氧氧化制作MOS界面几乎不存在缺点，那为什么工业上碳化硅的氧化进程大部分还是使用干氧氧化呢？可否有相关文献或者书籍，让我了解一下关于SiC湿氧氧化的缺点呢？ |
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