| 查看: 413 | 回复: 0 | ||
[求助]
半导体材料相关的，SiC湿氧氧化
|
| 我是学习半导体器件方向的学生，在阅读前人的文献时，我发现SiC湿氧氧化制作MOS界面几乎不存在缺点，那为什么工业上碳化硅的氧化进程大部分还是使用干氧氧化呢？可否有相关文献或者书籍，让我了解一下关于SiC湿氧氧化的缺点呢？ |
回复此楼» 猜你喜欢
各位基础老师们，看完中央《从严治党》的决定后，对学术界更加有信心了吧
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有6人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有7人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急
已经有6人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有10人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有9人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有8人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
