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wmc5302

木虫 (小有名气)


[交流] SiO2退火产生无定形

参考http://dx.doi.org/10.1016%2Fj.commatsci.2006.01.003

建立Alpha-SiO2,5000K高温弛豫,Langevin+NVE降温,再300K弛豫

O-O的rdf在2A有尖峰,但是在参考文献中是平滑过渡的,不知道是自己计算错误还是有什么解释吗?

SiO2退火产生无定形
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lx_PICO

铁虫 (正式写手)



wmc5302(金币+1): 谢谢参与
你的高温没有超过熔点吧
2楼2017-06-28 23:50:16
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wmc5302

木虫 (小有名气)


引用回帖:
2楼: Originally posted by lx_PICO at 2017-06-28 23:50:16
你的高温没有超过熔点吧

写错了,5000K……参考文献里是5000K高温弛豫,其它还有4000K,7000K的。SiO2的熔点一般2000K
3楼2017-06-29 09:02:41
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tangbohejin

木虫之王 (文学泰斗)


非晶态。。
5楼2017-06-29 09:38:41
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wmc5302

木虫 (小有名气)


引用回帖:
5楼: Originally posted by tangbohejin at 2017-06-29 09:38:41
非晶态。。

文献中rdf在2A是没有尖峰的啊,我模拟的都有
10楼2017-06-29 14:30:29
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mjt8433

木虫 (著名写手)



wmc5302(金币+1): 谢谢参与
哦豁
12楼2017-06-29 17:23:18
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Nano2016

新虫 (著名写手)



wmc5302(金币+1): 谢谢参与
你用的什么软件

发自小木虫Android客户端
16楼2017-06-29 19:09:57
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wmc5302

木虫 (小有名气)


引用回帖:
16楼: Originally posted by Nano2016 at 2017-06-29 19:09:57
你用的什么软件

Lammps
18楼2017-06-30 09:03:21
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朙天儿

至尊木虫 (著名写手)



wmc5302(金币+1): 谢谢参与
因为精度和显示吧

发自小木虫IOS客户端
21楼2017-07-01 10:57:50
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Nano2016

新虫 (著名写手)


我也在做无定型材料计算,遇到了困难,咱们可以交流一下吗?

发自小木虫Android客户端
23楼2017-07-03 08:27:51
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wmc5302

木虫 (小有名气)


引用回帖:
23楼: Originally posted by Nano2016 at 2017-07-03 08:27:51
我也在做无定型材料计算,遇到了困难,咱们可以交流一下吗?

直接在这里回复呗,互相交流,也可以让别人指导
24楼2017-07-03 10:01:09
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Nano2016

新虫 (著名写手)


我想模拟非晶硅,先升高温度变成液态硅,这时候硅原子之间原来的化学键是否需要删除? 我用的materials studio

发自小木虫Android客户端
25楼2017-07-03 14:44:29
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wmc5302

木虫 (小有名气)


引用回帖:
25楼: Originally posted by Nano2016 at 2017-07-03 14:44:29
我想模拟非晶硅,先升高温度变成液态硅,这时候硅原子之间原来的化学键是否需要删除? 我用的materials studio

看你用的势函数支不支持
pair对势是没有固定bond的,只要给定原子的初始位置就可以,所以可以模拟键的断裂
还有些势函数是需要设置bond,基本上都是不能模拟键断裂,生物上用的比较多,研究蛋白质,DNA构型什么的

你研究对象是Si,我猜用的是Tersoff吧,这个是对势,不需要指定bond
建议是把用的势函数的使用说明好好看看
26楼2017-07-04 12:05:20
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Nano2016

新虫 (著名写手)


27楼2017-07-04 21:19:44
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Nano2016

新虫 (著名写手)


引用回帖:
26楼: Originally posted by wmc5302 at 2017-07-04 12:05:20
看你用的势函数支不支持
pair对势是没有固定bond的,只要给定原子的初始位置就可以,所以可以模拟键的断裂
还有些势函数是需要设置bond,基本上都是不能模拟键断裂,生物上用的比较多,研究蛋白质,DNA构型什么的 ...

谢谢你的详细回答!

发自小木虫Android客户端
28楼2017-07-04 21:20:12
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张JL

铁虫 (初入文坛)


有没方法可以在单晶硅表面模拟生产非晶氧化硅层

发自小木虫Android客户端
31楼2018-03-27 22:58:52
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11B329

金虫 (正式写手)



wmc5302(金币+1): 谢谢参与
你好,楼主,你用NVE和Laegevin降温,盒子里是不是会出现真空区呢?这个有没有影响呢?

发自小木虫IOS客户端
32楼2018-04-09 08:10:45
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简单回复
2017-06-29 09:38   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
2017-06-29 11:47   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
2017-06-29 12:12   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
bj20089898楼
2017-06-29 13:19   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
yaoyao1459楼
2017-06-29 13:35   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
gengxin6011楼
2017-06-29 14:56   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
KDME13楼
2017-06-29 18:11   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
发自小木虫Android客户端
tzynew14楼
2017-06-29 18:31   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
syhorchid15楼
2017-06-29 18:43   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
wdxmu17楼
2017-06-29 23:58   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
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nono200919楼
2017-06-30 23:08   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
·
gorgan20楼
2017-07-01 08:19   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
发自小木虫Android客户端
2017-07-01 15:10   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
nono200929楼
2017-07-05 21:03   回复  
·
张JL30楼
2018-03-27 22:56   回复  
wmc5302(金币+1): 谢谢参与
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