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反应离子刻蚀
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我最近在做反应离子刻蚀实验，发现100nm5硅片镀铜怎么都刻蚀不掉，但是表面又呈现黑色，工艺就是镀膜匀胶曝光显影刻蚀，60nm结构可以刻蚀出来，100nm怎么都刻蚀不出来，刻蚀参数是通的氩气120sccm，偏压310v，射频功率106w，刻蚀时间1小时15分钟，下面两张图片分别是刻蚀前后的。刻蚀机是国产的jsd300rie。  发自小木虫Android客户端 |
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