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反应离子刻蚀
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我最近在做反应离子刻蚀实验,发现100nm5硅片镀铜怎么都刻蚀不掉,但是表面又呈现黑色,工艺就是镀膜匀胶曝光显影刻蚀,60nm结构可以刻蚀出来,100nm怎么都刻蚀不出来,刻蚀参数是通的氩气120sccm,偏压310v,射频功率106w,刻蚀时间1小时15分钟,下面两张图片分别是刻蚀前后的。刻蚀机是国产的jsd300rie。 发自小木虫Android客户端 |
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