[求助] 表征半导体的载流子寿命、迁移率等的常用方法有哪些？已有1人参与

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1楼2017-06-12 16:11:45

lovezaoxin

禁虫 (正式写手)

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2楼2017-06-13 00:11:06

静静一yi

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静静

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2楼: Originally posted by lovezaoxin at 2017-06-13 00:11:06
霍尔测试可以得到这些信息，我们实验室可以提供霍尔测试，有需要站内私信

老师的联系方式是？我们需要测试一下~

15501697107

3楼2017-06-21 17:08:22

happyxiong

金虫 (小有名气)

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专业: 凝聚态物性I:结构、力学和

霍尔测量能探测载流子寿命？

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4楼2017-06-21 23:17:27

holyge

新虫 (初入文坛)

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MOS结构的CV法可以测试

5楼2017-06-23 10:56:28

巴蒂315

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霍尔

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男子汉，拿得起，放得下，真性情，大丈夫！

6楼2017-06-23 11:04:51

liang0581-ip

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飞行时间法测迁移率，利用飞行时间法(time-of-flight，TOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性，广泛适用于各类半导体材料，如有机半导体、金属- 有机框架、共价有机框架、钙钛矿材料等。

（ FlyTOF）

7楼2022-05-17 10:45:23