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高分子在碳酸钙表面的吸附模拟
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我在试着用低版本的MS中的Discover模块模拟高分子在碳酸钙表面的吸附，模型就是将构建好的聚合度为10的高分子复制粘贴在晶体的表面（真空层50埃），然后将表面固定后进行Minimizer和Dynamics，现在有两个问题没办法解决了： 1、小木虫有前辈说，高分子与晶面的初始距离的确定是刚好产生Moniter close contacts就好，但我发现，微调这个距离或者翻转高分子，得到的吸附能有时会有几百cal/mol的差别。我想问这个初始距离以哪个距离为准？还有翻转高分子也使吸附能变化，感觉得到的吸附能不太可信，怎么用在论文里？ 2、在开始对碳酸钙晶胞进行切面之前，碳酸钙的原始结构用不用优化一下再用？（之前在CASTEP模块计算晶体表面能时，晶体的原始晶胞要优化一下，始终不明白这个优化是什么作用） 希望有经验的前辈能给点建议，谢谢！ |
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