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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 【求助】 硅片(111)和(100)两个晶面，对颗粒生长作用是否一样？
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winipo

木虫 (小有名气)

[交流] 【求助】 硅片(111)和(100)两个晶面，对颗粒生长作用是否一样？

两个晶面的表面能不一样
是否会对颗粒的扩散聚集过程有影响？

[ Last edited by memser on 2009-1-13 at 08:11 ]
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1楼 2009-01-12 22:41:42
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sundy2006

金虫 (小有名气)
★ ★
memser(金币+2,VIP+0):感谢参与讨论，多来交流：）
看怎么用了，如果除掉表面氧化物，做成干净表面（一般UHV条件），那肯定不同。但是很多时候都在普通条件下使用，Si表面有3纳米的氧化，所以其实都是在Si氧化物上，不会有太大差别。有一次会议，有个学生在Si片上担载纳米粒子，它没有除氧化物层，竟然讲Si 100 和111的差别导致结果差别，那样就犯了常识错误了。
btw：Si也可以在溶液中除氧化物，做成H终止表面。
赞一下(6人) 回复此楼
2楼2009-01-13 10:37:09
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