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有扩散的EIS图谱极化电阻问题。 已有1人参与
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各位大神，小虫有紧迫的问题求解： 我做导电聚合物防腐涂层，涂层导电性较好，EIS图谱高频区为很小的半圆，低频区为近似垂直于X轴的扩散。请问各位大神，低频区的直线能否看作有阻挡层形成的有限长度的韦伯扩散呢？有相关的文献这么说明，但是都比较久了（Journal of Power Sources 168 (2007) 184–190，Journal of Applied Electrochemistry (2006) 36:545–556）。如果可以作为有限长度的韦伯扩散的话，总的极化电阻值Rp是否可以用Rp=Rc+Rt+Rw等得到呢？但是拟合出来的韦伯阻抗电阻值较小，如果直接将各个电阻相加的话得到的极化电阻Rp很小，跟用Tafel 拟合得到的数值较大的Rp值有出入，请问这种情况应该如何解释？ 急，求解！  @Jackcd12 |
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你描述的阻抗谱的形状说明你的保护膜是很完整，完全起到了隔离作用，恭喜你！ 这种情况下的阻抗谱，属于有限反射边界条件下的阻抗谱，不是通常见到的韦伯扩散电阻。这个扩散阻抗的计算稍微复杂点，要根据曲线拐点对应的频率分开讨论。如果你用ZSimpWin拟合，选择RT or RO试一试。具体的计算和物理意义，这里推荐一篇与你情况密切相关的理论模型的文章，你可以看看。我没有遇到过这个阻抗谱，因此，具体情况也不清楚。 Theory of the Impedance of Electron Diffusion and Recombination in a Thin Layer http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp011941g |
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