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qiaoyi_1

新虫 (初入文坛)

[求助] RIE刻蚀氮化硅膜 已有1人参与

最近需要用离子刻蚀在氮化硅薄膜（200nm，硅片衬底）上刻蚀3-6um边长正方形的阵列，使用负胶作为保护层。实际刻蚀完洗掉光刻胶以后，发现孔和孔之间出现了图中的纹路，想请教一下这是什么原因？如果想在后续从反面把硅衬底腐蚀出大约1mm直径的窗口，膜的强度会不会不够？谢谢！
RIE参数是400W，5Pa，15sccmCF4+15sccmCHF3，光刻胶厚度大约1um。

RIE刻蚀氮化硅膜
SiN 50X 6um 2.1s 2200rpm afterRIE withoutPR1.jpg
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1楼 2017-05-25 14:56:35
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
光刻胶去掉了吗？有点儿像光刻胶没抗住刻蚀，然后部分光刻胶被耗尽，结果刻到底下的SiN了。
1mm的孔能不能撑住要算的。你这个是怎么长的SiN？应力是多少的？如果应力大的话，确实容易撑不住。
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2楼2017-05-25 17:28:13
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qiaoyi_1

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2017-05-25 17:28:13
光刻胶去掉了吗？有点儿像光刻胶没抗住刻蚀，然后部分光刻胶被耗尽，结果刻到底下的SiN了。
1mm的孔能不能撑住要算的。你这个是怎么长的SiN？应力是多少的？如果应力大的话，确实容易撑不住。

这个是去掉光刻胶以后的，去掉之前表面没有这些纹路呢，就是光刻胶刻过以后“磨砂”的样子。所以奇怪氮化硅表面纹路怎么出现的。氮化硅是lpcvd做的。

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3楼2017-05-25 18:22:09
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我是大百菜

新虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2017-05-25 17:28:13
光刻胶去掉了吗？有点儿像光刻胶没抗住刻蚀，然后部分光刻胶被耗尽，结果刻到底下的SiN了。
1mm的孔能不能撑住要算的。你这个是怎么长的SiN？应力是多少的？如果应力大的话，确实容易撑不住。

这个应力会影响刻蚀后的那些方面。会对片子有什么影响吗？

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4楼2017-09-06 14:32:05
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