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RIE刻蚀氮化硅膜 已有1人参与
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最近需要用离子刻蚀在氮化硅薄膜（200nm，硅片衬底）上刻蚀3-6um边长正方形的阵列，使用负胶作为保护层。实际刻蚀完洗掉光刻胶以后，发现孔和孔之间出现了图中的纹路，想请教一下这是什么原因？如果想在后续从反面把硅衬底腐蚀出大约1mm直径的窗口，膜的强度会不会不够？谢谢！ RIE参数是400W，5Pa，15sccmCF4+15sccmCHF3，光刻胶厚度大约1um。  SiN 50X 6um 2.1s 2200rpm afterRIE withoutPR1.jpg |
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 薄膜制备与特性 |
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yswyx 
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