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圆心角yxj

铁虫 (著名写手)

[求助] PN结导通

PN结只能单向导通(即电流只能从P型半导体流向N型半导体),但是光电效应(太阳能电池)中为什么电流是从N型半导体流向P型半导体,这岂不是自相矛盾?
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莫使金樽空对月
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圆心角yxj

铁虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 圆心角yxj at 2017-05-25 23:45:54
单向导电性的解释: 应该是当施加的外加电场与内建电场方向相反时,电子可从n区迁移到p区,即电子上坡顺利,电流从p区流向n区;当施加的外加电场与内建电场方向相同时,电子无法从p区迁移到n区,即电子下坡困难,电流 ...

当施加与内建电场方向相反的外加电场时,电子流向p区,空穴流向n区,即电流从p区流向n区,反之则无电流,这就是单向导电性;而光电效应下电子流向n区,空穴流向p区,即电流从n区流向p区,这刚好与《单向导电性》时的电流方向相反,岂不是自相矛盾?

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莫使金樽空对月
5楼2017-05-25 23:59:57
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
圆心角yxj: 金币+6 2017-05-26 00:13:16
这一切都源于PN结区,其相当于一个势垒(有内建电场),就象两段路之间的一个坡(坡上是P区,坡下是N区)。单向导电性就相当于电子下坡顺利,上坡费劲(空穴反之);而光伏电池的光生载流子(空穴,相当于气球;电子,相当于铁球)可产生于PN结区(坡中),则电子易滑致N区,空穴易滑至P区(在N区产生的空穴扩散到PN结区时也易运动到P区;P区产生的电子同理易到N区)。有啥矛盾的?

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没有困难创造困难也要上网。
2楼2017-05-25 19:54:22
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圆心角yxj

铁虫 (著名写手)

单向导电性的解释: 应该是当施加的外加电场与内建电场方向相反时,电子可从n区迁移到p区,即电子上坡顺利,电流从p区流向n区;当施加的外加电场与内建电场方向相同时,电子无法从p区迁移到n区,即电子下坡困难,电流难从n区流向p区,即无电流产生。总得来说就是电流只能从电流从p区流向n区,即电子只能从电流从n区流向p区。而你对单向导电性的解释: 其实只是内建电场中的少子漂移现象,与pn结中原本的多子扩散现象(自建电场形成后会阻碍多子扩散)中和后,半导体显电中性,宏观上不存在电流流动,这些并不是外加电场时(p区流向n区即单向导电性)的电流流动现象。至于你对光电效应的解释到没什么疑惑。

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莫使金樽空对月
3楼2017-05-25 23:45:54
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圆心角yxj

铁虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by qfw_68 at 2017-05-25 19:54:22
这一切都源于PN结区,其相当于一个势垒(有内建电场),就象两段路之间的一个坡(坡上是P区,坡下是N区)。单向导电性就相当于电子下坡顺利,上坡费劲(空穴反之);而光伏电池的光生载流子(空穴,相当于气球;电子 ...

单向导电性的解释: 应该是当施加的外加电场与内建电场方向相反时,电子可从n区迁移到p区,即电子上坡顺利,电流从p区流向n区;当施加的外加电场与内建电场方向相同时,电子无法从p区迁移到n区,即电子下坡困难,电流难从n区流向p区,即无电流产生。总得来说就是电流只能从p区流向n区,即电子只能从电流从n区流向p区。而你对单向导电性的解释: 其实只是内建电场中的少子漂移现象,与pn结中原本的多子扩散现象(自建电场形成后会阻碍多子扩散)中和后,半导体显电中性,宏观上不存在电流流动,这些并不是外加电场时(p区流向n区即单向导电性)的电流流动现象。也就是说你只是解释了内建电场中的少子漂移现象,因为p区本来就没什么电子,能下坡到n区的电子寥寥无几,至于电流大小也可忽略。至于你对光电效应的解释到没什么疑惑。

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莫使金樽空对月
4楼2017-05-25 23:51:06
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