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reallife木虫 (著名写手)
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IV曲线分析 已有1人参与
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最近做pn结，结构是“Al + p型NiO + n型NiO + ITO”，测得的IV曲线与标准pn结不太一样，想请教大家，我这种情况可以证明形成pn结了吗？ 我对数据取了对数，使漏电流看起来不那么明显，图片如下（abc三组图的数据完全一样）： a图是原始图，b图纵坐标取了ln，c图横纵坐标均取了log。哪一种比较适合分析。 请教各位，谢谢大家！  图片1.jpg |
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【答案】应助回帖
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reallife: 金币+15, ★★★★★最佳答案, 非常感谢 2017-05-28 08:58:32
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理论上来说 semilog是比较常规的画法，也就是 （b） 但是这个曲线看起来不太好. ideality factor应该比1 大很多。 有一个基本的问题 关于你的器件结构： “Al + p型NiO + n型NiO + ITO”。 ITO 的work function 大概是4。9-5。2， 适合空穴注入， 应该和 p type 半导体连接，减少注入势垒。Al work function: 4.3 适合电子注入， 你的器件结构好像反了。 |
2楼2017-05-26 14:10:48
reallife
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3楼2017-05-28 09:02:16
4楼2017-05-28 14:02:22
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5楼2017-05-29 17:39:10
dengdenger
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6楼2017-11-30 10:46:18