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beibei8311

金虫 (正式写手)

[求助] 我想算二维材料相对于真空能级的价带顶和导带底的能量 已有1人参与

我计算了MoS2和WS2的真空能级,在OUTCAR里找到了E-fermi,这个相对于真空能级的意思是说要统一他两的真空能级,然后依据之前的间距不变原则来对原来的带边进行调节吗?但是这样做和文献不匹配。还有我用vtotav.x直接得出的数据进行origin画的图,要处理数据?
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xfzhou

铁杆木虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
beibei8311(漫天飘雪代发): 金币+5, 谢谢交流 2017-05-18 15:19:06
蛋蛋小童鞋: 应助指数+1 2017-05-18 15:50:16
把静电势的开关打开后,你可以得到LOCPOT,最简单的用奥斯丁分校的那个locpot的脚本处理即可(得到VLINE),origin直接画图。貌似vtot处理更复杂的异质结界面。
2楼2017-05-18 15:18:00
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beibei8311

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by xfzhou at 2017-05-18 15:18:00
把静电势的开关打开后,你可以得到LOCPOT,最简单的用奥斯丁分校的那个locpot的脚本处理即可(得到VLINE),origin直接画图。貌似vtot处理更复杂的异质结界面。

VLINE 也得到了,origin图也画了,真空能级也得到了,我把WS2和MoS2的真空能级统一后,呈现出的带边分布与文献对不上。我先怀疑的是我的带边的处理方法。所以我想问问大家是怎么做的,然后看看我错在了哪里
3楼2017-05-18 16:18:01
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beibei8311

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by xfzhou at 2017-05-18 15:18:00
把静电势的开关打开后,你可以得到LOCPOT,最简单的用奥斯丁分校的那个locpot的脚本处理即可(得到VLINE),origin直接画图。貌似vtot处理更复杂的异质结界面。

一个是文章作者做的带边图,还有文章作者说的一句话,我是按照这句话试着去做的
我想算二维材料相对于真空能级的价带顶和导带底的能量
band edage.GIF


我想算二维材料相对于真空能级的价带顶和导带底的能量-1
literature.GIF

4楼2017-05-18 16:45:21
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
beibei8311: 金币+45, ★★★★★最佳答案 2017-05-23 09:14:00
引用回帖:
4楼: Originally posted by beibei8311 at 2017-05-18 17:45:21
一个是文章作者做的带边图,还有文章作者说的一句话,我是按照这句话试着去做的

band edage.GIF

literature.GIF
...

首先确认一下你的带隙值是否与文献上的一致。
按这样的公式计算一下:

Evacuum(MoS2), Evacuum(WS2)是从单独计算MoS2和WS2分别得到的LOCPOT处理后得到的值。
Ecbm(MoS2), Evbm(MoS2), Ecbm(WS2), Evbm(WS2)分别是从MoS2,WS2的单独能带结构计算出来的EIGENVALUE文件得到的值。

价带边的相对值:[Evbm(WS2) -Evacuum(WS2)] -  [Evbm(MoS2)-Evacuum(MoS2)]
导带边的相对值: [Ecbm(WS2) -Evacuum(WS2)] -  [Ecbm(MoS2)-Evacuum(MoS2)]

这里忽略了两种材料实际接触形成界面而导致可能的电荷转移对电子结构的影响。
5楼2017-05-21 08:29:23
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