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小大辣椒

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[求助] 光催化已有1人参与

想问一下，v2o5能不能用作光催化剂我找到一些文献有做的，但是我的一位老师说不可行，它的禁带宽度小于氧化还原电势我有点蒙想请问一下大牛

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1楼 2017-05-13 22:04:44

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guxue

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【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1

带隙能与氧化还原性能之间的关系并不是绝对的，那还要看半导体的价带和导带边电位，一般电位越正，其氧化能力越高，电位越负，还原能力越强。禁带宽度降低，有利于产生光生电子与空穴，提高其氧化还原能力。但是不同的催化剂其电子与空穴的分离效率不同，加之能带匹配情况不同，其催化反应的速率高低也是不一样的吧。

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青出于蓝而胜于蓝

2楼2017-05-13 22:21:14

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匿名

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3楼2017-05-14 06:11:01

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2楼: Originally posted by guxue at 2017-05-13 22:21:14
带隙能与氧化还原性能之间的关系并不是绝对的，那还要看半导体的价带和导带边电位，一般电位越正，其氧化能力越高，电位越负，还原能力越强。禁带宽度降低，有利于产生光生电子与空穴，提高其氧化还原能力。但是不同 ...

你好，就是说，光催化不仅与禁带宽度有关，还与价带和导带的电势位置有关但是我不清楚的是氧化钒的价带和导带的位置……

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4楼2017-05-15 20:35:45

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