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liluyan

银虫 (正式写手)

[交流] 求助:化合价设置

请教一下如果用vasp算缺陷的时候缺陷的价态应该怎么设置呢?比如说两价的氧空位,如果是存在两个不同价态的缺陷呢?

[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 21:42 ]
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NKDMS

金虫 (正式写手)


fegg7502(金币+1,VIP+0):鼓励交流!
引用回帖:
Originally posted by ecitpxq at 2009-1-10 19:48:
通过NELECT设置总的价电子数来实现。如Si的Conventional Cell, 有8个原子,总价电子数为32,如果掺入替代位B原子,则总价电子数为31,如果让B为-1价,则在INCAR中设NELECT=32。

谢谢!非常感谢!
一个位置替代,减少(或增加)一个电荷,设置NELECT后,基本上带电位于该缺陷上。如果两个缺陷,例如A和B,这时设置NELECT后,不好控制A和B的电荷。例如A带+1,B带-1电荷,不用设置NELECT,怎样让A和B分别带
不同电荷?

最近在稀磁半导体的文献中,常看到变价模型。
8楼2009-01-12 11:49:55
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csfn

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zdhlover(金币+1,VIP+0):谢谢
设置不同价态,还没听过过 一般做氧空位就直接删掉了氧原子
2楼2009-01-08 07:50:40
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NKDMS

金虫 (正式写手)

请教版主,Mn替代ZnO中的一个Zn原子,在加一个Oi填隙原子,如何设置Mn为+1价,Oi为-2价?谢谢!
3楼2009-01-09 00:28:47
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csfn

荣誉版主 (知名作家)

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★ ★ ★ ★
spur(金币+4,VIP+0):^_^ Many thanks!!
引用回帖:
Originally posted by NKDMS at 2009-1-9 00:28:
请教版主,Mn替代ZnO中的一个Zn原子,在加一个Oi填隙原子,如何设置Mn为+1价,Oi为-2价?谢谢!

我不大明白是否能实现这点,还有你是否能够明白自己要做的这点,还是仅仅文献上看到别人分析出Mn为1价态了

按我目前的理解上做,就是直接替换Zn为Mn,坐标文件中不考虑任何价态。待计算完成后,具体再去分析Mn的价态。当然只比较粗的估计。另外填隙原子也一样。

我记得我师弟曾跟我讨论过,说他发现castep中间替换原子时有价态选择。这点当时由于比较忙也没有好好考虑过。不过如果自己考虑价态,没有设置好,出现体系带电现象,那么体系中间由于周期作用将会出现电荷相互作用。不说收敛难,就计算的结果可靠与否就难说了。因此我怀疑他当时的发现是否准确。所谓隔行如隔山,不过不懂也如隔山,如果vasp和castep都能考虑不同原子的价态选择,那么我这些话就都是错误的。
4楼2009-01-09 07:30:27
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