24小时热门版块排行榜    

查看: 1534  |  回复: 13

遇见未来325

新虫 (初入文坛)

11楼2017-05-02 14:24:54
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by cnts at 2017-05-02 14:03:05
非常感谢!我这就去测试 。
补充:
1.红圈部分,我对比过一些国内外文献发现他们是有的,而我没有,所以很疑惑。
2.我的老师说红圈部分没有不正常,给人一种下意识觉得不合理  。
...

1.我没有算过InN也没很认真读过InN的文献,所以我也不能很保证说的对不对,大家多交流学习。
2.我知道InN因为bandgap太窄(~0.7eV)做DFT计算的时候很容易就成导体(也就是几乎没有bandgap)的。早期的论文很多不做bandgap修正可能就算的很不对。所以建议你把你“对比过一些国内外文献”贴出来看看他们算的图。有了对比才能帮你分析
3.但是我看你算的有2eV?咋这么大啊。。。建议你调研下理论和试验报道的InN的bandgap是多少。我只记得大概是0.7
4.HSE中的AEXX=0.25只是默认值,表示很多时候用这个指可以得到较好的修正,但是不是说这个值是算的对的。增大AEXX可以增大bandgap,反之亦然。建议你看看其他人算的InN的AEXX是多少。
5.如果你算的就是理想InN块体结构,没有任何缺陷,为什么会在bandgap中有gap states呢?所以不明白为什么你老师说红圈中没有不正常?难道理想的半导体bulk材料的bandgap中有态才是正常的??
计算顺利点吧
12楼2017-05-02 19:20:21
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

cnts

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
12楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-05-02 19:20:21
1.我没有算过InN也没很认真读过InN的文献,所以我也不能很保证说的对不对,大家多交流学习。
2.我知道InN因为bandgap太窄(~0.7eV)做DFT计算的时候很容易就成导体(也就是几乎没有bandgap)的。早期的论文很多不 ...

我想你可能看错图了,我算出来的带隙值就是0.7附近,你注意看红圈靠左部分,费米线左侧与右侧的小峰那,过了那个小峰,安其他人做的是有太密度的,我做出来没有,所以不太懂。

发自小木虫Android客户端
13楼2017-05-03 08:39:43
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zhangfrank

金虫 (正式写手)

引用回帖:
13楼: Originally posted by cnts at 2017-05-03 08:39:43
我想你可能看错图了,我算出来的带隙值就是0.7附近,你注意看红圈靠左部分,费米线左侧与右侧的小峰那,过了那个小峰,安其他人做的是有太密度的,我做出来没有,所以不太懂。
...

哦,你没标出cbmvbm所以我看错了。这个原因就是你k点取太小导致的。

发自小木虫Android客户端
计算顺利点吧
14楼2017-05-03 09:16:07
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 cnts 的主题更新
信息提示
请填处理意见