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cnts

新虫 (初入文坛)

[求助] 急急急,求助态密度 已有1人参与

急急急 泪泪!!!!
求各位大神帮小的看看
用VASP算体相InN时 得到的态密度如图  红色部分居然没有!!!!这显然错了
但我找不到是什么原因


INCAR设置如下
PREC   = high
SYSTEM = InN
ISTART = 1
ICHARG = 2
EDIFF = 0.00001
EDIFFG = -0.001
GGA = PE
ENCUT = 600
ENAUG = 900
LREAL = .FALSE.
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
NELM = 200
NSW = 0
IBRION = -1
LMAXMIX = 4
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.1
NSIM = 4
IALGO = 48
ISYM = 0
LHFCALC = .TRUE.
HFSCREEN = 0.2
ALGO = All
TIME = 0.4
PRECFOCK= F
AEXX = 0.25
LORBIT = 11
NEDOS  = 2000

急急急,求助态密度


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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by cnts at 2017-05-02 14:03:05
非常感谢!我这就去测试 。
补充:
1.红圈部分,我对比过一些国内外文献发现他们是有的,而我没有,所以很疑惑。
2.我的老师说红圈部分没有不正常,给人一种下意识觉得不合理  。
...

1.我没有算过InN也没很认真读过InN的文献,所以我也不能很保证说的对不对,大家多交流学习。
2.我知道InN因为bandgap太窄(~0.7eV)做DFT计算的时候很容易就成导体(也就是几乎没有bandgap)的。早期的论文很多不做bandgap修正可能就算的很不对。所以建议你把你“对比过一些国内外文献”贴出来看看他们算的图。有了对比才能帮你分析
3.但是我看你算的有2eV?咋这么大啊。。。建议你调研下理论和试验报道的InN的bandgap是多少。我只记得大概是0.7
4.HSE中的AEXX=0.25只是默认值,表示很多时候用这个指可以得到较好的修正,但是不是说这个值是算的对的。增大AEXX可以增大bandgap,反之亦然。建议你看看其他人算的InN的AEXX是多少。
5.如果你算的就是理想InN块体结构,没有任何缺陷,为什么会在bandgap中有gap states呢?所以不明白为什么你老师说红圈中没有不正常?难道理想的半导体bulk材料的bandgap中有态才是正常的??
计算顺利点吧
12楼2017-05-02 19:20:21
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tsglss

铁杆木虫 (著名写手)

居然有?还是不要有?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
做好自己
2楼2017-05-01 15:40:31
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cnts

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by tsglss at 2017-05-01 15:40:31
居然有?还是不要有?

那个部分应该有起伏

发自小木虫Android客户端
3楼2017-05-01 16:33:12
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tsglss

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by cnts at 2017-05-01 16:33:12
那个部分应该有起伏
...

还是没明白。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
做好自己
4楼2017-05-01 16:39:23
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