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急急急,求助态密度 已有1人参与
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急急急 泪泪!!!! 求各位大神帮小的看看 用VASP算体相InN时 得到的态密度如图 红色部分居然没有!!!!这显然错了 但我找不到是什么原因 INCAR设置如下 PREC = high SYSTEM = InN ISTART = 1 ICHARG = 2 EDIFF = 0.00001 EDIFFG = -0.001 GGA = PE ENCUT = 600 ENAUG = 900 LREAL = .FALSE. LWAVE = .TRUE. LCHARG = .TRUE. NELM = 200 NSW = 0 IBRION = -1 LMAXMIX = 4 ISMEAR = 0 SIGMA = 0.1 NSIM = 4 IALGO = 48 ISYM = 0 LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.2 ALGO = All TIME = 0.4 PRECFOCK= F AEXX = 0.25 LORBIT = 11 NEDOS = 2000 发自小木虫Android客户端 |
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zhangfrank
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【答案】应助回帖
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1.我没有算过InN也没很认真读过InN的文献,所以我也不能很保证说的对不对,大家多交流学习。 2.我知道InN因为bandgap太窄(~0.7eV)做DFT计算的时候很容易就成导体(也就是几乎没有bandgap)的。早期的论文很多不做bandgap修正可能就算的很不对。所以建议你把你“对比过一些国内外文献”贴出来看看他们算的图。有了对比才能帮你分析 3.但是我看你算的有2eV?咋这么大啊。。。建议你调研下理论和试验报道的InN的bandgap是多少。我只记得大概是0.7 4.HSE中的AEXX=0.25只是默认值,表示很多时候用这个指可以得到较好的修正,但是不是说这个值是算的对的。增大AEXX可以增大bandgap,反之亦然。建议你看看其他人算的InN的AEXX是多少。 5.如果你算的就是理想InN块体结构,没有任何缺陷,为什么会在bandgap中有gap states呢?所以不明白为什么你老师说红圈中没有不正常?难道理想的半导体bulk材料的bandgap中有态才是正常的?? |

12楼2017-05-02 19:20:21
tsglss
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2楼2017-05-01 15:40:31
3楼2017-05-01 16:33:12
tsglss
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4楼2017-05-01 16:39:23













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