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385 nm处相对弱的吸收峰带相对应于自旋允许的金属-配体的电荷转移 (1MLCT)跃迁；长的拖尾的吸收峰延伸至低能量的460 nm的吸收，可能属于 3MLCT和3π–π*跃迁，这个吸收峰的增强是由于旋轨耦合作用，从而与1MLCT跃 迁相混合。 |
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