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高斯门徒

银虫 (小有名气)

[求助] 关于半导体样品的EPR测试 已有1人参与

想测试半导体材料的氧空位缺陷的,样品是长在FTO基底上的半导体纳米晶,请问EPR测试的话,需要对样品加光照吗,看很多文献里面好像都没有提到测EPR的时候加不加光照,也有提到说进行光照测试的,如果光照以后EPR的信号强度应该会更明显吧,第一次测这个,希望高手解答一下
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高斯门徒

银虫 (小有名气)

2楼2017-04-10 09:13:37
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橘子皮-O-

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
高斯门徒: 金币+5, 有帮助 2017-04-27 15:24:08
我们这边测氧空位信号是不加光照的,测自由基的时候才加,这是可以自己要求的
3楼2017-04-27 11:27:23
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高斯门徒

银虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 橘子皮-O- at 2017-04-27 11:27:23
我们这边测氧空位信号是不加光照的,测自由基的时候才加,这是可以自己要求的

好的,了解啦,谢谢你的解答
4楼2017-04-27 15:23:53
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lxj669635

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 橘子皮-O- at 2017-04-27 11:27:23
我们这边测氧空位信号是不加光照的,测自由基的时候才加,这是可以自己要求的

你好!加光照测氧空位时,发现加光照之后强度增加,这能说明光照后氧空位浓度变大吗?
5楼2021-05-18 11:03:46
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