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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » silvaco tcad如何定义新的光刻胶
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牧野天下1

铁虫 (初入文坛)

[求助] silvaco tcad如何定义新的光刻胶 已有1人参与

silvaco tcad中如何定义新的光刻胶进行光刻仿真？

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1楼 2017-04-05 21:04:56
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温馨妹

新虫 (小有名气)
需要光刻胶吗

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2楼2017-04-05 21:48:05
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czym520

新虫 (初入文坛)
直接覆盖氧化层，刻蚀氧化层就可以了，简单

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3楼2017-09-01 14:50:11
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Six_Ways

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

自带例子中光刻文件夹内第13个讲了怎么定义新光刻胶
# Define exposure parameters for the Dill exposure model and development
# rate parameters for the Kim development rate model for the photoresists
# AAA and BBB.
#
rate.develop name.resist=AAA  i.line\
    r1.kim = 0.085329 r2.kim = 0.000002 r3.kim = 11.74276 \
    r4.kim = 0.0 r5.kim = 0.0 r6.kim = 0.0 r7.kim = 0.0 \
    r8.kim = 0.0 r9.kim = 0.0 r10.kim = 0.0 \
    a.dill =  0.73 b.dill =  0.07 c.dill =  0.018 \
    Dix.0 = 7.55e-13 Dix.E = 3.34e-2
rate.develop name.resist=BBB  i.line\
    r1.kim = 0.085329 r2.kim = 0.000002 r3.kim = 11.74276 \
    r4.kim = 0.0 r5.kim = 0.0 r6.kim = 0.0 r7.kim = 0.0 \
    r8.kim = 0.0 r9.kim = 0.0 r10.kim = 0.0 \
    a.dill =  0.73 b.dill =  0.07 c.dill =  0.018 \
    Dix.0 = 7.55e-13 Dix.E = 3.34e-2
#
# Define index of refraction of user defined photoresists AAA and BBB.
#
optical photo name.resist=AAA lambda=0.365 refrac.real=1.6 refrac.imag=0.02
optical photo name.resist=BBB lambda=0.365 refrac.real=1.9 refrac.imag=0.01
#  
# Deposit user defined photoresists AAA and BBB
#
deposit photoresist name.resist=AAA thick=.5 divisions=20
deposit photoresist name.resist=BBB thick=.5 divisions=20
#
structure mirror left
#
structure outfile=anopex13_0.str
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4楼2021-04-08 09:06:57
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Ceremony_

新虫 (初入文坛)
我也有这个问题

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5楼2023-05-29 02:19:29
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