| 查看: 7248 | 回复: 5 | ||
lwb870525木虫 (著名写手)
|
[求助]
TFT的转移特性曲线 已有1人参与
|
|
对于n-channel TFT 转移特性曲线已有所了解，但是对于p-channel TFT的转移特性曲线，还是有些不明白。 附上一张p-channel TFT的转移特性曲线，请对图中A、B、C（前亚阈值区）、D（后亚阈值区）、E区（截止区）加以说明，谢谢！ 问题： 1、A区和B区谁是线性区、谁是饱和区？ 2、线性区、饱和区各个区中，Vgs、Vth、Vds的关系是怎样的？  1.jpg |
回复此楼» 猜你喜欢
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有4人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 为什么没有人研究ALD生长的sio2做绝缘层的氧化物TFT呢？
已经有6人回复
2楼2017-03-25 21:42:12
3楼2017-03-25 21:44:29
lwb870525
木虫 (著名写手)
- 应助: 4 (幼儿园)
- 金币: 2219.2
- 散金: 753
- 红花: 16
- 帖子: 2034
- 在线: 586.7小时
- 虫号: 934457
- 注册: 2009-12-28
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
4楼2017-03-26 11:19:33
lanzi084305
金虫 (正式写手)
- 应助: 14 (小学生)
- 金币: 1087.9
- 散金: 31
- 红花: 1
- 帖子: 553
- 在线: 177.3小时
- 虫号: 1232976
- 注册: 2011-03-14
- 性别: MM
- 专业: 半导体材料
5楼2017-05-24 11:24:29
【答案】应助回帖
|
我来分享一点自己的理解： 1、TFT特性更多的是看转移曲线； 是对的。大部分的参数， mobility, Vth, subthreshold swing (ss), 等等都可以丛transfer curve 上计算出来。你的图画成 log 一般是用来计算SS 的。 2、对于n沟道TFT的转移曲线，我是了解的。n沟道TFT，其Vth为正值， 其实也不准确, Vth 也可以为负。主要当Vds >0 and Ids 随着VG的正向增加而增加时，就是n type TFT in accumulation mode. TFT开启的时候Vgs、Vds也是正值。当 Vth<Vgs 且Vgs-Vth<Vds时，曲线进入饱和区， 当Vth<Vgs且Vgs-Vth>Vds时，曲线进入线性区。 Langlang0617 说的对，饱和区和线性区在输出曲线中更为明显。 达到标准饱和区前提是 Vds 比较大。 比如说 Vds>=VG 而在标准测量转移曲线时 Vds 应该很小。 所以我不认为在转移曲线中存在标准的“饱和区”。 3。但是换成p沟道TFT时，我不知道是不是也是按照这个分，所以才发一帖来求助大家。 p type 和 n type 同样原理。只是 Vds and Vg 都为负值。 有问题请继续， 谢谢 |
6楼2017-05-26 13:44:13
