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有何不可琼银虫 (著名写手)
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伪氢饱和已有1人参与
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在文献中看到用H0.5、H0.75、H1.25、H1.5，对体系进行伪氢饱和，说是为了阻止界面之间的电荷转移，降低在界面形成的内部电场。 在赝势库中也确实查到有几种赝势，实现起来也不难。但有几个问题不太明白： 1，这几种氢，与普通的氢原子相比，除了所带电量不一样，还有其他区别吗？ 2，看文献中，有的用H0.75，有的用H1.25，有的用H1.5，不知道选用哪一种H饱和具体的依据是什么？ 3，我看到很多半导体的异质结，说光学性质改变，就是因为界面电荷转移造成的。这个用伪氢饱和之后，是不是就不会有电荷转移，然后光学性质还会改变吗？ 求大神指点一二！   发自小木虫IOS客户端 |
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【答案】应助回帖
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