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有何不可琼银虫 (著名写手)
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伪氢饱和 已有1人参与
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在文献中看到用H0.5、H0.75、H1.25、H1.5，对体系进行伪氢饱和，说是为了阻止界面之间的电荷转移，降低在界面形成的内部电场。 在赝势库中也确实查到有几种赝势，实现起来也不难。但有几个问题不太明白： 1，这几种氢，与普通的氢原子相比，除了所带电量不一样，还有其他区别吗？ 2，看文献中，有的用H0.75，有的用H1.25，有的用H1.5，不知道选用哪一种H饱和具体的依据是什么？ 3，我看到很多半导体的异质结，说光学性质改变，就是因为界面电荷转移造成的。这个用伪氢饱和之后，是不是就不会有电荷转移，然后光学性质还会改变吗？ 求大神指点一二！   发自小木虫IOS客户端 |
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zhangfrank
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【答案】应助回帖
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有何不可琼(漫天飘雪代发): 金币+5, 谢谢交流 2017-03-23 21:09:42
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1，这几种氢，与普通的氢原子相比，除了所带电量不一样，还有其他区别吗？ >>>>没有其他区别，赝H，顾名思义，就是假的。真实中没有。只是用软件设置的含有分数电荷的元素来饱和悬挂键而有效钝化悬挂镜的 2，看文献中，有的用H0.75，有的用H1.25，有的用H1.5，不知道选用哪一种H饱和具体的依据是什么？ >>>>看你要钝化的是什么的悬挂键。根据2个电子组成的键才是稳定结构：如果你要钝化1个电子的键（比如Si）那么就用1个电子的H；如果要钝化1.25个电子的键（比如N）那就用H0.75，以此类推。 3，我看到很多半导体的异质结，说光学性质改变，就是因为界面电荷转移造成的。这个用伪氢饱和之后，是不是就不会有电荷转移，然后光学性质还会改变吗？ >>>>赝H钝化是为了模拟一个无限大的体材料termination，一般用在表面界面计算中（界面的本质就是两个表面拼接在一起接触）。当然，也可以说是为了避免电荷转移。但是用赝H饱和后，就只能说是在界面的最上面的表面跟最下面的表面（c方向的image之间）没有电荷转移了（在不考虑dipole 存在的情况下）但是在界面接触的地方肯定也有电荷转移的、 |
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有何不可琼2楼2017-03-23 10:41:29
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3楼2017-03-23 15:47:42
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4楼2017-03-23 15:48:50
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