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lingfaling

金虫 (著名写手)

[求助] vasp 加电场 已有1人参与

给二维材料加电场,范围0.1-0.8V/埃,结构优化完毕后,进行静态计算,多次测试,发现,同样的参数,可是能量E 0,费米能级却不同,相差零点几个eV。很是郁闷。按理来说加点场应该很成熟了,为什么每次算出来差别这么大。希望大神解惑,小弟不胜感激。
EFIELD =0.3
LDIPOL =T
IDIPOL=3

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liaowentian

新虫 (初入文坛)

前辈求教二维材料结构的构建
     我尝试用MS 建立Ti2C的模型,我先下载了Ti,C的具有六方对称性的cif文件,然后在MS中打开,然后切除两个平面,然后在组合。
                 问题在于:1.Ti,C有许多六方对称性的结构,到底选哪一个
                                  2.应该切那几个平面
                                  3.切除的平面在组成layer的时候,两个切除的表面晶格参数不对称
                                  4.切完后应该怎么组合,怎么知道原子到了正确的位置
                                  5.原子之间没有成键,文献中却都有
                                  6.founctional group 又该如何添加呢
                                  7.根本问题:不知道我这种思路是否正确                        
                   希望各位前辈指点迷津,小生不胜感激
        
8楼2017-03-18 16:53:38
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lingfaling

金虫 (著名写手)

2楼2017-03-18 08:22:05
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努力的向日葵

铁虫 (小有名气)

你好,请问电场是怎么加上去的?是对Vasp某个文件的参数更改了吗?还有静态计算是?(小白,导师刚给的方向,希望虫友帮忙解答一下,谢谢。)

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3楼2017-03-18 10:18:59
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

感兴趣。但是不知道怎么解释。关注下这个问题
计算顺利点吧
4楼2017-03-18 10:56:53
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