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ra2ghgzh木虫 (正式写手)
学痴
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[求助]
硅的POSCAR应该怎么写？
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我在论坛里下载了VASP的官网实例，其中的2_1_fccSi里给出的POSCAR为： 3.9 0.5 0.5 0.0 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 1 cartesian 0 0 0 但是我直接用MS导入了Si的结构，生成的.cell文件却显示： %BLOCK LATTICE_CART -0.000000000000000 2.715350000000000 2.715350000000000 2.715350000000000 0.000000000000000 2.715350000000000 2.715350000000000 2.715350000000000 -0.000000000000001 %ENDBLOCK LATTICE_CART %BLOCK POSITIONS_FRAC Si 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 Si 0.2499999999999999 1.2500000000000000 0.2500000000000000 这两个结构是相同的吗？ |
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2015432001
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ra2ghgzh(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-15 08:33:25
ra2ghgzh(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-15 08:33:25
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你为什么不把文件导入VESTA,或者导入MS,导成cif格式，再用VESTA打开，再导成vasp格式，拷到服务器改改名不就行了嘛。我是这么想的，不一定对啊。 发自小木虫Android客户端 |
2楼2017-03-14 22:49:13
漫天飘雪
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3楼2017-03-15 08:33:37
ra2ghgzh
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4楼2017-03-15 09:58:37
