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litianbao金虫 (正式写手)
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[交流]
【求助】有哪位高人给解释一下“费米能级钉扎效应”
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如题所示，非常感谢 [ Last edited by ddx-k on 2008-12-25 at 12:09 ] |
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tan-tt
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费米能级的钉扎是一个过时或者即将过时的概念，首先出现是为了解释金属与半导体接触时，接触势垒与金属的功函数关系不是那么大，从而引入了一个表面态钉扎费米能级的概念，而实际上，近20年来关于肖特基势垒的研究已基本否定了这一概念，或者摒弃了这个概念。就像Raymond T. Tung在2001年的Materials Science and Engineering Reports上说的一样，费米能级钉扎只是似是而非的表面现象，而不是肖特基接触势垒的本质。（"FL-pinning" is actually a term borrowed from the literature used to describe a seemingly similar phenomenon observed at semiconductor surfaces and semiconductor-snsulator interfaces. ）更多的研究认为，SBH是由界面反应以及界面相控制的，而不是什么所谓的费米能级钉扎！ 费米能级钉扎概念还被用于解释高阻半导体的高阻形成机制。典型的如半绝缘的GaAS的高阻形成机理，认为是深能级钉扎了费米能级，这一概念也存在同样致命的漏洞，只是目前还没有更合适的模型和概念出现。 [ Last edited by tan-tt on 2009-1-3 at 15:20 ] |
6楼2009-01-03 13:12:55
bluesky238
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3楼2008-12-25 12:53:55
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参考该视频教程： Prof. K.N.Bnkt--Lecture 16 - Fermi Level Pinning & Schottky Barrier Diodes http://www.youtube.com/watch?v=jmM_LcXzytM 或参考施敏的半导体器件 一书 |
2楼2008-12-25 09:45:07
userhung
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4楼2008-12-25 15:37:42
litianbao
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5楼2008-12-25 16:25:36
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