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强势枪手

铁虫 (初入文坛)

[求助] 晶体吸收光转化光电流的原理 已有1人参与

本人在测试Si的光电性能时,发现硅在532nm的光照射时,光电流很大,但是365的紫外光照时时没有光电流,两种光的功率相同,不是功率的原因,所以想请问大家:
1、第一种可能,光没有被吸收 光子能量大于禁带宽度的光也不一定被吸收吗?为什么
2、第二种可能,光被吸收 但却没有光电流,那光子的能量是怎么耗散的呢?
本人查了一些资料,还没找到答案,所以在这里请教大家了
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--八云--

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
强势枪手: 金币+20, ★★★★★最佳答案 2017-03-08 23:02:43
光有没有被吸收,查对应材料的absorption coefficient,silicon种类太多,单晶多晶非晶,查对应的

结构中有没有pn junction,junction在哪,吸收的光子在哪,是不是在junction位置附近,这决定了carrier splitting efficiency,比如可能紫外光在表面附近吸收的太过强烈,光电流基本都复合在表面了,自然没有光电流,原因太多慢慢查找确认
人原本是不死的,后来他创造了死亡,故而人们歌颂他。
2楼2017-03-08 22:16:13
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强势枪手

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by --八云-- at 2017-03-08 22:16:13
光有没有被吸收,查对应材料的absorption coefficient,silicon种类太多,单晶多晶非晶,查对应的

结构中有没有pn junction,junction在哪,吸收的光子在哪,是不是在junction位置附近,这决定了carrier splitti ...

单晶硅的,我还没查到硅的吸收光谱,请问 如果 光谱中显示紫外区有吸收,那么就一定会有载流子的跃迁是吗,
结构中有结,肖特基结,吸收光子的应该就在结附近,所以对载流子分离效率应该还可以,
您说的紫外一般是在表面被吸收是吗,在表面复合的话是因为缺陷充当复合中心吗?(或者说陷阱态俘获中心)
谢谢了
3楼2017-03-08 23:02:27
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--八云--

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引用回帖:
3楼: Originally posted by 强势枪手 at 2017-03-08 17:02:27
单晶硅的,我还没查到硅的吸收光谱,请问 如果 光谱中显示紫外区有吸收,那么就一定会有载流子的跃迁是吗,
结构中有结,肖特基结,吸收光子的应该就在结附近,所以对载流子分离效率应该还可以,
您说的紫外一般 ...

表面复合是surface recombination,surface trap充当复合中心,原理上和SRH recombination是类似的,但是表面的trap state要多得多

”应该在附近,应该还可以“不是可靠的描述,要做模型仔细分析才能下定论
人原本是不死的,后来他创造了死亡,故而人们歌颂他。
4楼2017-03-09 00:04:38
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强势枪手

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by --八云-- at 2017-03-09 00:04:38
表面复合是surface recombination,surface trap充当复合中心,原理上和SRH recombination是类似的,但是表面的trap state要多得多

”应该在附近,应该还可以“不是可靠的描述,要做模型仔细分析才能下定论...

恩 谢谢你,我再继续分析。
5楼2017-03-09 09:21:08
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--八云--

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引用回帖:
5楼: Originally posted by 强势枪手 at 2017-03-09 03:21:08
恩 谢谢你,我再继续分析。...

不客气
人原本是不死的,后来他创造了死亡,故而人们歌颂他。
6楼2017-03-09 15:56:08
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