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basanwuyu银虫 (小有名气)
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[交流]
【交流】有关磷吸杂原理的讨论-做材料的进了看看哟！
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“磷吸杂是利用浓磷扩散形成重扩散层， 它的吸杂原理包括驰豫吸杂和分凝吸杂， 分凝吸杂部分是由于费米能级效应和离子成对效应而形成的在重扩散层的增强溶解； 驰豫吸杂部分是由重扩散形成的位错网络，同时由于硅扩散时形成过量的自间隙原子而导致金属杂质从替位位置移动到间隙位置导致了扩散速度的增加， 从而加速磷吸杂的完成由于POCl3 能形成1021cm-3的浓磷吸杂层所以文中使用POCl3为磷源进行磷吸杂” 1.“重扩散层”中的“重”是念chong吧？ 2.费米能级效应？如何理解呢？ 3.离子成对效应：指成对的离子形成化合物了，然后在一定条件下溶解或或者挥发了？ 请指教！ [ Last edited by ddx-k on 2008-12-24 at 11:04 ] |
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basanwuyu
银虫 (小有名气)
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3楼2008-12-23 16:11:10
★ ★ ★ ★ ★
basanwuyu(金币+5,VIP+0):首先，谢谢ddx-k师兄的指点；对师兄您的渊博学识表示敬佩，以后我得多努力，多向师兄您学习。另外：想请问下师兄您 是研究的什么方向？
basanwuyu(金币+5,VIP+0):首先，谢谢ddx-k师兄的指点；对师兄您的渊博学识表示敬佩，以后我得多努力，多向师兄您学习。另外：想请问下师兄您 是研究的什么方向？
1.发音很正确！ 2.磷吸杂是在表面作多晶硅电极时，在POCl3气氛下热处理，在硅片内部形成高磷层，磷的掺入引起费米能级的变化（费米能级效应），通过与缺陷有关的非平衡过程，增大了金属与施主的配对（离子成对效应），使金属的固溶度增加，从而达到吸杂的目的。（金属固溶度与费米能级有关，这个你可以插到相关的公式）。这就是你说的费米能级效应、离子成对效应 3.经过处理后杂质就会聚集在磷重扩的地方，在太阳电池中可以通过后道工艺去除。而非挥发或溶解了。 [ Last edited by ddx-k on 2008-12-23 at 10:54 ] |
2楼2008-12-23 10:50:13
★ ★
basanwuyu(金币+1,VIP+0):呵呵，确实应该多向您请教才是！师兄，我还有个疑问就是：你说的磷吸杂是在硅片内部形成高磷层？？，应该是在硅片表面开成高磷层（这有相关文献作证），等到吸杂后一并将此表面含杂质层除掉，不知师兄您怎么看？
basanwuyu(金币+1,VIP+0):师兄，您好！我已把我看过的文献查阅了一遍，发现绝大多数的都只是提到磷扩散在表面及其的浓度，只有一篇硕士论文中提到了磷扩散在表面、一定条件下的浓度、及PN结深（1.7到2微米），没有你说的高磷区域的深度，但是文章太大，可能要用什么纳米盘上传，但我不知道如何上传。
basanwuyu(金币+1,VIP+0):呵呵，确实应该多向您请教才是！师兄，我还有个疑问就是：你说的磷吸杂是在硅片内部形成高磷层？？，应该是在硅片表面开成高磷层（这有相关文献作证），等到吸杂后一并将此表面含杂质层除掉，不知师兄您怎么看？
basanwuyu(金币+1,VIP+0):师兄，您好！我已把我看过的文献查阅了一遍，发现绝大多数的都只是提到磷扩散在表面及其的浓度，只有一篇硕士论文中提到了磷扩散在表面、一定条件下的浓度、及PN结深（1.7到2微米），没有你说的高磷区域的深度，但是文章太大，可能要用什么纳米盘上传，但我不知道如何上传。
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我说的就是扩散的那一步，不是做电极的，我是想少打字^_^，扩散不就是在上面的嘛， 你说的多晶硅片的生产工艺很正确，但是一般生产上的工艺是通过优化工艺直接扩散制结，在扩散的时候已经吸杂了，而后再去除磷硅玻璃的时候顺便把该层去除了。 也就是说我们看到的工艺中应该是： 多晶硅片 →清洗 →扩散制结 →去周边→去磷硅玻璃→做铝电极→做铝背场→做上电极 →共烧结→测量电学特性分档封装。 所有的电池生产工艺，可能也有前后调整，都大致相当。 不要那样夸我了，我也是盲人摸象，只知道一部分了，互相学习！ [ Last edited by ddx-k on 2008-12-23 at 16:50 ] |
4楼2008-12-23 16:44:21
5楼2008-12-23 16:56:45
