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大跳伦巴

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[交流] 关于VASP计算时，费米能级的问题

固体物理里面在0K时，所有电子都应该占据在费米面以下。

我在分析C-O成键的时候，为什么做出来的DOS会有费米面以上的占据呢？
还有，我看别人很多的分析成键的PDOS图也有在费米面上的占据态。
拜托大家解答一下，谢谢啦。

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1楼 2017-03-02 14:34:49

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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

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建议你看看
《固体与表面》[美国]R.霍夫曼
了解一些基本的知识，了解态密度吧：
http://muchong.com/html/201311/6655192.html

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2楼2017-03-02 19:15:29

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大跳伦巴

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引用回帖:

2楼: Originally posted by valenhou001 at 2017-03-02 19:15:29
建议你看看
《固体与表面》R.霍夫曼
了解一些基本的知识，了解态密度吧：
http://muchong.com/html/201311/6655192.html

VASP计算不都是在0k吗，那么计算出来的dos态都应该在费米能级之下呀？还是vasp的费米能级定义不一样？

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3楼2017-03-03 15:39:12

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valenhou001

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引用回帖:

3楼: Originally posted by 大跳伦巴 at 2017-03-03 16:39:12
VASP计算不都是在0k吗，那么计算出来的dos态都应该在费米能级之下呀？还是vasp的费米能级定义不一样？...

"那么计算出来的dos态都应该在费米能级之下呀？"
你的理解是错误的。你把态密度、占据态、未占据态、费米能级的概念没有整清楚。
费米能级以下的是占据态的态密度，费米能级以上是空态（未占据态）的态密度。
VASP计算出来的费米能级就是按电子数的填充来得到。

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4楼2017-03-03 15:44:17

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