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大跳伦巴

新虫 (初入文坛)

[交流] 关于VASP计算时,费米能级的问题

固体物理里面在0K时,所有电子都应该占据在费米面以下。
我在分析C-O成键的时候,为什么做出来的DOS会有费米面以上的占据呢?
还有,我看别人很多的分析成键的PDOS图也有在费米面上的占据态。
     拜托大家解答一下,谢谢啦。

关于VASP计算时,费米能级的问题
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
建议你看看
《固体与表面》[美国]R.霍夫曼
了解一些基本的知识,了解态密度吧:
http://muchong.com/html/201311/6655192.html
2楼2017-03-02 19:15:29
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大跳伦巴

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by valenhou001 at 2017-03-02 19:15:29
建议你看看
《固体与表面》R.霍夫曼
了解一些基本的知识,了解态密度吧:
http://muchong.com/html/201311/6655192.html

VASP计算不都是在0k吗,那么计算出来的dos态都应该在费米能级之下呀?还是vasp的费米能级定义不一样?
3楼2017-03-03 15:39:12
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by 大跳伦巴 at 2017-03-03 16:39:12
VASP计算不都是在0k吗,那么计算出来的dos态都应该在费米能级之下呀?还是vasp的费米能级定义不一样?...

"那么计算出来的dos态都应该在费米能级之下呀?"
你的理解是错误的。你把态密度、占据态、未占据态、费米能级的概念没有整清楚。
费米能级以下的是占据态的态密度,费米能级以上是空态(未占据态)的态密度。
VASP计算出来的费米能级就是按电子数的填充来得到。
4楼2017-03-03 15:44:17
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