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【求助】一个晶体中应力检测的XRD图谱定性分析问题
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大家好,最近看了一篇关于生长GaN质量的问题,不懂希望有人能给解释下. 问题:A 一般气相沉积生长的晶体 B 晶体转移到其他衬底的晶体 C刻蚀掉缓冲层后的晶体. 然后通过XRD衍射分析晶体中的应力,对A,B,C三试样的GaN(002)面所对应的2θ角比无支撑或粉末的晶体的2θ角大,然后作者就说 众所周知,随2θ角的增大,晶体所受的张应力就越大. 可是按我简单的理解,在入射波长相同的条件下2θ角越大,以为晶面间距d越小,受到的压应力就越大,可是又与上面作者给的结论矛盾,可是作者应该不会错,所以我就怀疑是不是我哪里理解错了,希望知道的高手指教下.谢谢您.图片在附件.... [ Last edited by 张甜 on 2008-12-20 at 18:59 ] |
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2楼2008-12-20 04:57:12
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