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wz19931

新虫 (初入文坛)


[交流] 光催化反应和材料的PN型有关吗?

RT,比如光催化产氢,原理上只说导带转化电位高(负)于氢气线就能析出,但根据光电催化理论,如果n型半导体与溶液界面形成空间电荷区,能带弯曲方向是阻止电子向溶液方向运动的,那是不是即使导带高于氢气线也是不适合析氢的?或者换个角度光电催化是不是也要考虑导带价带的位置?入门时间短请各位大神不吝赐教。或者有相关文献可以供参考也许行。
eg:下面的是我画的一个图,假设材料为n型半导体导带转化电位是-0.5V,费米能级线高于氢线,那么此材料适不适合析氢?

光催化反应和材料的PN型有关吗?
20170222_162924.jpg
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wz19931

新虫 (初入文坛)


居然一个回答的都没有。。。
2楼2017-02-27 15:30:04
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zatnlsc

金虫 (小有名气)



wz19931(金币+1): 谢谢参与
导带高于H2线即可
光电催化需要考虑导带价带位置
你画的图当然适合析氢
3楼2017-02-28 04:19:34
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wz19931

新虫 (初入文坛)


引用回帖:
3楼: Originally posted by zatnlsc at 2017-02-28 04:19:34
导带高于H2线即可
光电催化需要考虑导带价带位置
你画的图当然适合析氢

谢谢回复~不过和PN型没有关系吗?如果是n型那能带弯曲形成空间电荷层的方向不是应该对析氢不利吗?这个要不要考虑
4楼2017-03-08 17:12:28
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nono20095楼
2017-03-08 20:54   回复  
wz19931(金币+1): 谢谢参与
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